Si衬底上CeO2介质薄膜的结构和电学特性.pdfVIP

Si衬底上Ce42介质薄膜的结构和电学特性 康晋锋 刘晓彦 翟霞云 关旭东 韩汝琦 北京大学微电子所，北京 100871 连贵君 熊光成 北京大学物理系，北京 100871 1.引言 半导体集成电路技术的进步是以半导体器件尺寸的不断缩小和集成电路集成度的 不断提高为标志的 目前集成电路产品中主流器件的特征尺寸已缩小到。.25M ，按预 测，其特征尺寸在2012年将缩小到50nm。然而，当器件尺寸缩小到0.1Etm以下时， 目前普遍采用的传统栅介质材料Si02或SiO,N,己不能满足器件功能的需要。为保证器 件有好的特性，设计要求栅介质层的厚度需要随器件尺寸的缩小同时减薄。因此，当 器件尺寸缩小到亚。.IlLm 以自寸，Si02栅介质层的厚度需要减薄到2nm以下。在这 样的尺寸 卜 由于直接隧穿和强场效应等因素的作用，栅介质层的漏电流和可靠性将 成为严重的问题。目前提出的解决这一问题的主要途径之一是利用具有高介电常数的 介质材料替代传统的Siq作为栅介质层，在保持等效电学厚度不变的基础上，使得实 际介质层的物理厚度增加，从而有效减小介质层的漏电流、提高其可靠性 二氧化饰(