Si基GaN上的欧姆接触.pdfVIP

第6卷 第4期 功能材料与器件学报 Vol.6,Na.4 2000年12月 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICES D- ,20M 文章编号:1007一4252(2000)04一0425一03 S1基GaN上的欧姆接触 赵作明，江若琏，陈鹏，席冬娟，沈波，郑有拼 (南京大学物理系，南京 210093) 摘要:研究了Si差GaN上的欧姆接触。对在不同的合金化条件下铝(Al)和钦铝铂 金(Ti/AUPVA时接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析。AVGaN在 450℃氮气气氛退火3min取得最好的欧姆接触率7.5x1护1)c时，而Ti/Al/Pt/Au/ GaN接触在65090氮气气氛退火20。取得最好的欧姆接触8.4x10-5Qm,而且 Ti/AVPdAu/GaN接触有较好的热稳定性。 关键词:Si基GaN;欧姆接触;A1;Ti/Al/PI/Au 中图分类号二TN305.93 文献标识码