沟槽形状对硅基沟槽式肖特基二极管电学特性的影响.docx

沟槽形状对硅基沟槽式肖特基二极管电学特性的影响翟东媛1)赵毅1)?蔡银飞2)施毅1)郑有炓1)1)(南京大学电子科学与工程学院,南京210093)2)(杭州启沛科技有限公司,杭州311121)(2014年1月24日收到;2014年3月8日收到修改稿)随着对电子产品节能环保要求的提高,对广泛应用于电子产品的肖特基二极管电学性能的要求也越来越高.含金属-氧化物-半导体结构的沟槽式肖特基二极管(trenchbarrierSchottkydiodes,TMBS)由于其优异的性能而备受青睐.沟槽结构对提高肖特基二极管性能起着至关重要的作用,但是关于沟槽形状对二极管电学性能的影响尚未见有深入的研究报道.本文提出了两种新型的沟槽结构——圆角沟槽和阶梯型沟槽.通过模拟研究发现,圆角沟槽与传统的直角沟槽TMBS器件相比,在维持同样的漏电流和正向导通电压的条件下,击穿电压可以提高15.8%.阶梯沟槽与传统直角沟槽TMBS器件相比,可以在击穿电压不减小的情况下,漏电降低35%,正向导通电压仅略有增加.这归结于圆角沟槽和阶梯沟槽对有源区内部电场强度分布的调节.关键词:肖特基二极管,金属-氧化物-半导体结构,沟槽式肖特基二极管,沟槽形状PACS:72.20.–i,73.40.Lq,77.22.Jp,84.70.+pDOI:10.7498/aps.63.127201势垒降低效应,从而减小了肖特基结的反向漏电流[5,6];另一方面,TMBS结构还可以降低有源区中电场强度的最大值,从而实现二极管反向击穿电压的增加,因此,在保证维持同样击穿电压的前提下,可以使用比较高掺杂浓度的外延层,从而实现较低的正向导通电压.自从TMBS结构器件被提出以来,不少研究者致力于通过改变TMBS器件的参数来进一步提高器件性能.如Baliga和Mahalingam[7]通过改善有源区的掺杂分布来改善器件的击穿电压,但是同时也导致了其反向漏电流的增加.Juang等[8]通过在沟槽底部引入p-n结来改善器件在沟槽底部的电场强度分布,达到增加击穿电压的作用等.但是作为TMBS结构器件中非常关键的沟槽结构,其如何影响二极管的电学特性尚未见深入的研究报道.虽然已有研究者对于梯形沟槽TMBS的性能进行了研究[9],但是性能改善并不明显.本文设计了两种新结构沟槽(圆角沟槽和阶梯型沟槽)TMBS器件,1引言肖特基二极管由于其低的正向导通压降和快速的反向恢复时间,在功率整流器件中得到了广泛应用.但是在传统的平面硅肖特基二极管中,由于其反向漏电主要来自于热电子发射[1],而不是p-n结一样来自于产生复合电流[2],因此,在相同的面积和电压下,平面肖特基结二极管的反向漏电流比p-n结大很多.另一方面,在高压器件中,由于寄生电阻的影响,平面肖特基二极管的低正向导通电压的优势也不明显了.为了改善平面肖特基二极管的这些缺点,1994年,Mehrotra和Baliga[3]提出了沟槽式肖特基二极管(trenchbarrierSchottkydiodes,TMBS)结构器件,在该器件中,电场耦合作用[4]改变了一定电压下的电场强度分布,将电场强度的最大值从肖特基结处转移到了硅的内部,有效地抑制了反向偏压下由镜像力引起的肖特基?通讯作者.E-mail:yzhao@?2014中国物理学会ChinesePhysicalSociety127201-1物理学报ActaPhys.Sin.Vol.63,No.12(2014)127201并且通过使用器件模拟软件Medici[10]对器件性能进行了模拟.模拟结果表明,在维持同样的漏电流和正向导通电压的条件下,圆角沟槽TMBS器件(圆角TMBS)比传统的直角沟槽TMBS器件(传统TMBS)的击穿电压增加了15.8%;阶梯沟槽TMBS器件(阶梯TMBS)与传统TMBS相比,可以在击穿电压不减小的情况下,实现漏电降低35%,正向导通电压仅略有增加.沟槽中间的有源区,电流路径仍沿着沟槽边缘(图2(a)),而由雪崩击穿的机理[11,12]决定器件击穿会首先发生在器件中电场强度最大的部位,所以击穿时器件中的最大场强必定在沿着沟槽边缘的某个部位.为此,我们模拟了在击穿电压下离沟槽不同距离处的电场强度的分布.模拟结果如图2(b)所示,其中三条曲线分别表示器件中x坐标为0.66,0.8,1μm位置处y坐标从1—4μm处的电场强度分布,也就是沿着图2(a)中除了电流路径以外的三条线的电场强度的分布,这三条直线距离沟槽边缘为0.01,0.2和0.35μm.从模拟结果可以看出,在器件击穿时,器件的电场强度的最大值位于沟槽底部临近沟槽的区域,所以器件击穿后电流路径沿着沟槽边缘.在图2(b)中还可以发现,0.66μm处的电场强度曲线在深度1.8—1.55μm之间有一段斜率很大的快速增长,而此段快速增长导致在