硫酸过氧化氢蚀刻工艺.docx

·蚀刻·硫酸Π过氧化氢蚀刻工艺吴水清(中国科学院高能物理研究所,北京100039)酸的硫酸Π过氧化氢浸蚀液11;J.C.Egide利用离子交换技术,对硫酸Π过氧化氢出光浸渍液进行回收铜和黄铜的试验12;A.A.Reed、H.Malthaner、K.F.Keating、M.A.Gouch等各自提出了硫酸Π过氧化氢1引言距今已有15个年头了,硫酸Π过氧化氢蚀刻工艺在缓慢地发展着。就其中原因,并非此种工艺不优越。实验证明该工艺具有如下优点:适应各种抗蚀层;蚀刻速度快,一般蚀刻速度为20～40μmΠmin,有的高达80μmΠmin;溶铜容量相当大,其值可达80～116gΠL。笔者测试可达143gΠL;蚀刻系数大,蚀刻质量高。在通常情况下,蚀刻系数为1∶1,国外曾报道为1.1～3.0之间。作者研制的蚀刻液蚀刻系数一般在1.43～3.33之间1。回收再生简便。该体系的废液只含有水和硫酸铜。只要将废液进行冷却处理或者浓缩,便可获得纯度大于90%的硫酸铜晶体,而上层溶液可返回到原槽中,待调整组分浓度后便可以重新使用2。既然有如此优越的工艺,为什么至今还不能普及呢?其中一个最重要的原因就是因为过氧化氢容易分解,试剂成本至今还偏高,蚀刻设备还不够完善。特别是人们还习惯采用碱性蚀刻法,越来越先进的碱性蚀刻机为大多数厂家所接受,再让他们淘汰这些用惯的设备是困难的。不过,许多表面处理工作者仍继续进行试验,出现许多新的工艺。例如,在化学镀、板电镀、图形电镀前的预镀蚀刻处理;黑化前的蚀刻处理;除去槽、架上的化学镀铜,都采用硫酸Π过氧化氢化学粗化蚀刻剂,收到了很好的效蚀刻液13～15;我国学者也提出了不少独创的蚀刻工艺与蚀刻液1;K.C.Wang提出硫酸Π过氧化氢浸蚀铜的工艺16;M.Stupar研究了硫酸Π过氧化氢浸蚀液的再生方法,并介绍了这种方法的优缺点、基本工艺和相关的设备17。值得指出的是,随着稳定过氧化氢、防止催化分解方面技术的发展,这在一定程度上为硫酸Π过氧化氢蚀刻工艺的广泛使用铺平了道路。特别是1978年在喷蚀和浸蚀生产中使用以来,证明此种工艺是行之有效的。现在,这种工艺已在印制电路板生产中发挥重要作用。可喜的是,从70年代末起就有不少单位在研制稳定剂和相应的生产配方与工艺。在我国,如贵州大学、天津754厂、830厂、中国科学院计算所、北京邮电学院、航天部502所、中国科学院高能物理研究所、南京有线电厂、总参52所、北京768厂等单位,为研制、生产提出了自己的配方。近年来,一些人在研究印制板硫酸Π过氧化氢粗化液稳定剂及粗化工艺方面又有新的进展,特别是武汉化工学院、湖北大学研制的HD-1稳定剂,在适宜的粗化条件下,能够有效地控制粗化反应的进行,还能阻止副反应的发生,这不仅能提供均恒的粗化速率,还使过氧化氢的利用率有所提高。我们认为:尽管硫酸Π过氧化氢蚀刻工艺已经历漫长的20年的发展历史,但在抑制过氧化氢分解、选择有效的稳定剂、完善蚀刻机的制造、改进与提高工艺参数、控制稳定与蚀刻机理等方面,还有不少工作需要做,也有不少棘手的问题急待解决。我们应该感到任重而道远。果3。例如,德国先灵公司的GS78蚀刻清洁剂、G13润湿剂;美国电化机械贸易公司的CO-BRAETCH蚀刻剂;希普列公司的PREPOSIT蚀刻剂T46、T46W;北京科技协作中心精细化学分部的ECS-01蚀刻剂、ECS-02润湿剂等,都为不少单位长期使用。K.C.Wong、M.L.Elias、W.L.Burger、M.Gulla、M.Connelly和T.Nakazat、J.L.Mcleam等先后提出了硫酸Π过氧化氢浸蚀液专利添加剂4～9;D.A.Luke测定了印制板硫酸Π过氧化氢蚀刻液中稳定剂、抑制剂和催化剂的作用,并进行了定量分析10;W.M.Mcgowan提出了含低分子量铵化合物和脂肪2蚀刻工艺机理硫酸Π过氧化氢蚀刻体系的建立,主要依靠过氧化氢的强氧化性和硫酸的强腐蚀性。自然也涉及到过氧化氢的不稳定性和某些反应所出现的高放热性。这在众多的文献中都强调了这一点1～3。ElectroplatingPollutionControl·28·Sep.1999Vol.19No.5硫酸Π过氧化氢蚀刻体系的实质在于通过一系列的化学反应,选择性地剥离金属铜,从而实现蚀刻目的。其主要反应如下所示。2.1过氧化氢的分解通常认为,过氧化氢在蚀刻液中首先进行分解,产生强氧化性的原子态氧。其反应式为:叁键、酮基、酯基、胺基等。这些基团含有足够电负性的氧、氮原子,与足够正性的氢构成有效的氢键。它们之所以有效,是由于负电荷集中在它们的原子上。一般说来,任何化合物含有两个以上的这样功能团,则要求其间不发生或不与其他基团发生空间阻碍作用18。美国耶鲁大学两位化学家曾用紫外光和少量水银作催化剂,将简单碳氢化合物转变为复杂化