首届国际先进光刻技术研讨会胜利闭幕-iwaps2017.pdfVIP

首届国际先进光刻技术研讨会胜利闭幕 ▲参会嘉宾合影 2017 年 10 月 13 日下午，首届国际先进光刻技术研讨会胜利闭幕，本次会 议为期两天，由集成电路产业技术创新战略联盟主办，中国科学院微电子研究所 承办，中芯国际(SMIC)、长江存储(YMTC)、华虹集团、Mentor、ASML、KLA Tencor、 南大光电(Nata)、上海微电子装备(集团)股份有限公司(SMEE)、Synopsys、Toppan、 JSR、东方晶源、沈阳芯源赞助。会议共有200 余人参会，分别来自中国、美国、 德国、日本等世界各地众多名企、厂商、科研机构、高校等。 会议开始，大会主席、集成电路产业技术创新战略联盟理事长、科技部原副 部长曹健林，国家外专局原局长马俊如，科技部重大专项办副巡视员、02 专项实 施管理办公室副主任邱钢先后为大会致开幕词，大会副主席、中科院微电子研究 所所长叶甜春就当前行业趋势做了分析报告，大会秘书长、中科院微电子研究所 计算光刻研发中心主任韦亚一研究员主持开幕式。按照大会安排，在这两天的时 间里，来自Intel、IBM、Qualcomm(高通)、AMD、ASML、SMIC 等公司的特邀嘉宾 分别就拟定的主题做了特邀报告，深入分析了光刻领域先进节点最新的技术手段 和解决方案，内容丰富，包含7nm 及以下节点的计算光刻技术、SMO、DTCO、EUV、 DSA、Design rules、光刻设备、材料等。会后，参会嘉宾进行合影留念。 以下是会议详细内容 ▲会议开始，大会主席、集成电路产业技术创新战略联盟理事长、科技部原副 部长曹健林致开幕词 ▲国家外专局原局长马俊如致开幕词 ▲科技部重大专项办副巡视员、02 专项实施管理办公室副主任邱钢致开幕词 ▲大会副主席、中科院微电子研究所所长叶甜春就当前行业趋势做分析报告 ▲大会秘书长、中科院微电子研究所计算光刻研发中心主任韦亚一研究员主持 开幕式 ▲ （1）来自IBM 的Takashi Hisada （左上）介绍应用于识别计算的新兴硬件技 术，在大数据时代大量的非结构数据变得越来越重要，基于机器学习的器件重构 值得期待。报告中介绍了神经形态器件，同时先进的三维封装技术和采用递归神 经网络算法的硬件具有降低互连密度的潜能。 （2）来自ASML 的Jan Mulkens （右上）首先介绍了套刻误差的改善方案，然后 介绍了用于优化曝光系统菜单的最新量测技术及计算控制方法。相比于逻辑器件， 3D NAND 面临的光刻挑战主要源自于晶圆中的多层结构。最后，为了满足套刻误 差和焦深控制，报告介绍了解决晶圆翘曲及晶圆量测所面临问题的解决方案。 （3）来自Mentor 的Steffen Schulze （左下）介绍了工业界对集成电路进行面 积缩减的趋势——通过结合特征尺寸缩减，器件和设计结构的创新等方法。EUV 光刻技术的应用为图形化带来新的机遇和挑战。计算光刻技术使得进一步的尺寸 缩减成为可能。最后为延续摩尔定律，报告介绍了技术需求，重要的EDA 解决方 案及发展趋势。 （4）来自AMD 的Jason Cain （右下）报告中提出一种可以识别归类设计规则之 外图形的方法。随着器件尺寸的缩小，在先进的节点下不能仅仅依赖于开发一套 工艺和设计规则就可以满足性能的需求，设计和工艺协同优化（DTCO）可以权衡 设计和工艺的各种因素，从而而得到最佳的解决方案。 ▲ （5）来自Qualcomm 的Da Yang （左上）的报告指出在半导体工艺技术的发展 在追随摩尔定律的同时，保证功耗、性能、面积、成本继续平衡变得越来越困难。 工业界通过严格的DTCO 技术提出了193i 光刻下合理的解决方案，然而这增加了 工艺的成本和设计复杂度。EUV 将提供进一步缩小周期的可能性，对于5nm 及以 下节点，虽然物理设计思路是明确的，但器件的创新和新的互联材料的发展仍然 是工艺的瓶颈。传统的DTCO 多受限于物理设计、器件、图形优化等各自单独的 领域。未来的发展趋势将需要设计、工艺、材料和设备等各个领域的广泛合作， 以战胜技术挑战，追随摩尔定律。 （6）来自HXT 的Ying Li （右上）报告中指出，从10nm 节点开始，设计一个高 端服务器的处理器需要着重考虑性能、成本和良率的影响。