电力电子器件发展趋势.pptVIP

电力电子技术器件的现状及发展趋势 概念 电子技术的应用 发展历史 新材料应用 发展方向 1.概念 电力电子器件（Power Electronic Device）又称为功率半导体器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面的大功率电子器件（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）。 所谓电力电子技术就是使用电力半导体器件及电子技术对电气设备的电功率进行变控制的技术，它以实现“高效率用电和高品质用电”为目标，是一门综合电力半导体器件、电力变换技术、现代电子技术、自动控制技术等许多学科的交叉学科，而电力电子器件是电力电子技术的基础和源头。 2.电子技术的应用 电子技术的应用 3.发展历史 (1)半控型器件—— 第一代电力电子器件 2O世纪5O年代，由美国通用电气公司发明的硅晶闸管的问世，标志着电力电子技术的开端。到了2O世纪7O年代，已经派生出了许多半控型器件，这些电力电子器件的功率也越来越大，性能日渐完善，但是由于晶闸管的固有特性，大大限制了它的应用范围。 (2)全控型器件一一第二代电力电子器件 从2O世纪7O年代后期开始，可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR或BJT)及其模块相继实用化。此后，各种高频率的全控型器件不断问世，并得到迅速发展。这些器件主要有：电力场控晶体管(即功率MOSFET)、静电感应晶体管(SIT)、静电感应晶闸管(SITH)等，这些器件的产生和发展，已经形成了一个新型的全控电力电子器件的大家族。 (3)复合型器件——第三代电力电子器件 80年代后期，以绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）为代表的复合型器件异军突起。它是MOSFET和BJT的复合，综合了两者的优点。与此相对，MOS控制晶闸管（MCT）和集成门极换流晶闸管（IGCT）复合了MOSFET和GTO。 (4)模块化器件—— 第四代电力电子器件 随着工艺水平的不断提高，可以将许多零散拼装的器件组合在一起并且大规模生产，进而导致第四代电力电子器件的诞生。即把驱动、控制、保护电路和电力电子器件集成在一起，构成电力电子集成电路（PIC），电力电子集成技术包括以PIC为代表的单片集成技术、混合集成技术以及系统集成技术。以上所述各种电力电子器件一般都是由硅（Si）半导体材料制成的。 4.新材料应用 砷化镓材料  GaAs是一种很有发展前景的半导体材料。具有很好的耐高温特性，有利于模块小型化没，从而可减小寄生电容提高开关频率。 碳化硅材料 SiC是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，可制作出性能更加优异的高温（300～500℃）、高频、高功率、高速度、抗辐射器件。对于公电输运和电动汽车的节能具有重要意义。 磷化铟材料 是继Si和GaAs之后的新一代电子功能材料。可作为高速、高频微波器件的材料，频率可达340GHz。 锗化硅材料 其截止频率为50GHz～110GHz。这标志着SiGe器件正式进进应用领域。 5.发展方向 电力电子技术向着集成化、智能化、通用化、信息化发展，对电力电子器件也有更高的要求，需要我们不断的研究开发。 6.结语 电力电子器件正进入以新型器件为主的新时代，作为电力电子技术发展的决定性因素，电力电子器件的研发及关键技术突破，必然会促进电力电子技术的迅速发展，进而促进以电力电子技术为基础的传统工业和高新技术产业的迅速发展。