第3章 场效应管及放大电路.ppt

了解场效应管的分类、结构及工作原理，掌握场效应的放大电路静态工作点的设置方法，掌握场效应管放大电路的分析。 重点：场效应管的结构及工作原理，场效应管放大电路的分析。 难点：MOS型场效应管的结构与工作原理。 场效应管的分类、结构及工作原理，场效应管放大电路的组成、静态工作点的设置及放大电路的分析等。 教学要求 主要内容 难点重点 3.1 结型场效应管（JFET） 2.2 MOS场效应管 2.3 场效应管放大电路 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的三极管，所以称为场效应管。工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。 当我们需要设计一个优秀的放大器，比如高输入阻抗，低输出阻抗和足够的放大倍数时，采用双极结型晶体管的单管或单级放大电路根本无法满足要求。于是人们通过研究，发明了另外一种三极管——场效应管。 为什么这种三极管叫做场效应管？ FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 3.1.1 JFET的结构与工作原理 D S G N 图 3.1-1　N 沟道结型场效应管结构图 N型沟道 N型硅棒 栅极 源极 漏极 P+ P+ P 型区 耗尽层(PN 结) 符号 　　在漏极和源极之间加上一个正向电压，N 型半导体中多数载流子电子可以导电。 　　导电沟道是 N 型的，称 N 沟道结型场效应管。 1. 结型场效应管的结构 P 沟道场效应管 　P 沟道结型场效应管结构图 N+ N+ P型沟道 G S D P 沟道场效应管是在 P 型硅棒的两侧做成高掺杂的 N 型区(N+)，导电沟道为 P 型，多数载流子为空穴。 符号 G D S 2. 工作原理（以N沟道为例） N 沟道结型场效应管用改变 UGS 大小来控制漏极电流 ID 。 G D S N N型沟道 栅极 源极 漏极 P+ P+ 耗尽层 　　*在栅极和源极之间加反向电压，耗尽层会变宽，导电沟道宽度减小，使沟道本身的电阻值增大，漏极电流 ID 减小，反之，漏极 ID 电流将增加。 *耗尽层的宽度改变主要在沟道区。 ①当uGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。 ②当│uGS│↑时，PN结反偏，耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大。 ③当│uGS│↑到一定值时 ，沟道会完全合拢。 定义： 夹断电压UP——使导电沟道完全合拢（消失）所需要的栅源电压uGS。 （1）栅-源电压对沟道的控制作用 在栅源间加负电压uGS ，令uDS =0 2. 工作原理（以N沟道为例） 结型场效应管的重要参数之一 ②uDS↑→iD ↑ →靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，呈楔形分布。 ③当uDS ↑，使uGD=uG S- uDS=UP时，在靠漏极处夹断——预夹断。 预夹断前， uDS↑→iD ↑。 预夹断后， uDS↑→iD 几乎不变。 ④uDS再↑，预夹断点下移。 （2）漏-源电压对沟道的控制作用 在漏源间加电压uDS ，令uGS =0 ①当uDS=0时， iD=0。由于uGS =0，所以导电沟道最宽。 具有恒流作用 （1）输出特性曲线：iD=f（uDS）uGS=常数 uGS=0V uGS=-1V 设：UT= -3V 3.1.2 结型场效应管的特性曲线 四个区： 恒流区的特点： △iD /△uGS =gm≈常数 即：△iD =gm△uGS （放大原理） （a）可变电阻区（预夹断前）。 （b）恒流区也称饱和 区（预夹断 后）。 （c）夹断区（截止区）。 （d）击穿区。 可变电阻区 恒流区 截止区 击穿区 （2）转移特性曲线：iD=f（uGS）uDS=常数 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。例：作uDS=10V的一条转移特性曲线： uGS = 0 ，iD 最大；uGS 愈负，iD 愈小；uGS = UP，iD ? 0。 两个重要参数 饱和漏极电流 IDSS(UGS = 0 时的 ID) 夹断电压 UP (ID = 0 时的 UGS) 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOSFET。 特点：输入电阻可达 1010 ? 以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 UGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管； UGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。 导电沟形成的机理不同 3.2.1 N沟道增强型MOSFET P 型衬底 N+ N+ B G S D SiO2 源极