有机电致发光显示器件载流子注入及复合机理研讨.pdfVIP

跬压料技大学 论文题目： 有机电致发光显示器件载流子注入及复合机理研究 申请学位学科：工学 所学学科专业：电力电子与电力传动 培养单位：电气与信息工程学院 硕士生：姚毅 导师：张方辉教授 靳宝安教授 2010年5月 AND RESEARCHoF矾JECTIoN MECHANISMFoR CoMB玳ATIoN THECARRmRS矾oELDEVICES A to ThesisSubmitted and Shaanxi ofScience University Technology inPartialFulfillmentofthe forthe of Degree Requirement Master of．E．．．．．．．．．．．．n．．．．．．．．．g．．．．．．．．．i．．．．n．．．．．．．．．eerine—． and Thesis ZhangFanehui Supervisor：Professor 一■■■■●■●■●■●■■■●■●■■■■■■■■■■■■●■●■■■■■■一 Bao’an ProfessorJin May,2010 有机电致发光显示器件载流子注入及复合机理研究 摘要 有机电致发光显示技术是一种新型显示技术，它具有超薄、全固态、低 压直流驱动、主动发光、高效率、高亮度、视角大、响应速度快等诸多特点。 目前人们对有机电致发光载流子的复合机理的了解较少，探索有机电致发光 器件的发光机理，将为寻找高量子效率的发光器件提供理论依据，如果能对 器件载流子的注入以及复合机理有着进一步的了解和研究，将对有机电致发 光显示器的发展有着十分重大的作用。 半导体中载流子的分布对载流子的复合发光有很大的影响，本文在考虑 禁带特性的情况下，从理论上探讨了半导体中电子与空穴的分布。以Si为 的几率．温度关系和不同温度时电子占据导带底的几率一能量关系。分析结果 表明：导带中绝大多数电子分布在导带底附近，价带中绝大多数空穴分布在 价带顶附近；温度越高，电子占据导带底的几率越大，温度每升高20K，电 子占据的几率增加大约四到五倍；导带中能级具有的能量越高，电子占据该 能级的几率越低，能量每增加0．02ev，电子占据的几率下降大约1／2。 体的复合机理，发现掺杂的结构在禁带中引入杂质能级，进而探讨了一种有 机半导体禁带中电子与空穴分布的理论模型，在此基础上讨论了半导体禁带 中电子和空穴的费米分布。分析得出，电子占据高于费米能级的杂质能