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顶栅 IGZO TFT研究现状 迟世鹏 2013/7/8 主要内容 顶栅IGZO TFT 栅介质 沟道保护层 IGZO薄膜厚度 双沟道 光照 自对准工艺 Al反应法 顶栅IGZO TFT (a)Thin-Film Transistor Fabricated in Single-Crystalline Transparent Oxide Semiconductor (b)Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors Single-crystalline IGZO TFTμsat=80cm2/V s Amorphous IGZO TFT μsat=8.3cm2/V s 栅介质 Top-Gate Staggered a-IGZO TFTs Adopting The Bilayer Gate Insulator for Driving AMOLED (a)SiO2与SiNx双层栅介质,第一层栅 介质作为保护层和IGZO刻蚀掩膜 SiO2可以提供好的界面特性,SiNx具 有好的抗水渗透性 SiNx/SiNx SiO2/SiO2 SiO2/SiO2 SiO2/SiNx 沟道保护层 (