分子外延束.ppt

* * * * * * 分子束外延法简介 什么是分子束外延 分子束外延设备 分子束外延工艺 主讲内容 分子束外延法的起源与发展 一、分子外延束的起源与发展 20世纪70年代初由美国BELL实验室开创 70年代中期，我国中科院物理所和半导体所开始对MBE的探索，80年出产首台MBE，91年长春召开第1届学术研讨会 1986年，GaAs/Al-GaAs系材料开始进入器件应用阶段 目前，研发人造结构(自然界不存在) 1、外延生长技术在半导体领域得到应用是在20世纪60年代。它指的是在一定条件下，使某种或某些种物质的原子（或分子）有规则排列、定向生长在经过仔细加工的晶体（一般称为衬底）表面上。它生长的材料是一种与衬底晶格结构有一定对应关系的单晶层。这个单晶层称为外延层，而把生长外延层的过程叫做外延生长。 2、分子束外延（MBE）是外延生长技术中非常重要的一种。它是60年代末～70年代初在真空蒸发的基础上迅速发展起来的制备半导体超薄层材料和器件的技术。在超高真空条件下，构成晶体的各个组份和掺杂原子（分子）以一定的热运动速度、按一定的比例喷射到热的衬底表面上进行晶体的外延生长。 二、什么是分子外延束 分子束外延原理示意图 在超高真空系统中，分子束源炉与被加热的衬底相对放置。 将组成化合物中的各个元素和掺杂元素分别放入不同的源炉内。 加热源炉使它们的分子（原子）以一定的热运动速度和一定的束流强度比例喷射到衬底表面上，与表面相互作用，进行单晶薄膜的外延生长。 各源炉前的挡板用来改变外延层的组份和掺杂。 根据设定的程序开关挡板、改变炉温和控制生长时间，就可以生长出不同厚度、不同组份、不同掺杂浓度的外延材料。 Title in here 分子束外延的生长过程是一个或多个热分子（原子）束与加热的衬底表面的反应过程。它涉及入射分子（原子）在衬底表面的吸附、分解、迁移、结合、脱附等复杂过程。主要是受表面化学、表面反应控制的动力学过程，而不是热平衡过程。 吸附 分解 迁移 结合 脱附 需要超真空 1、避免源炉喷射出的原子在到达衬底之前与环境中的残余气体碰撞而受到污染 2、避免环境中的残余气体分子与外延表面碰撞而使外延面受到污染 为什么要超真空 其特点是: 1、生长速度慢（～1?m/h）， 2、生长温度低， 3、可随意改变外延层的组份和掺杂， 4、可在原子尺度范围内精确控制外延层的厚度、异质结界面平整度和掺杂分布。 5、在生长的原位研究外延表面的生长过程和作表面分析。 存在问题： 1、设备复杂、投资大、外延生长速度慢、经济效益差； 2、外延膜表面缺陷密度大（可能是衬底表面的缺陷或杂志污染引起的) 3、尽管已广泛用于多种新型半导体器件制备，但其原子级生长机制仍很不清楚。（其生长过程是平衡态还是非平衡态？如是后者，为何能获得高质量的晶体？） 二、分子束外延设备 分子束外延设备是一个复杂的系统，它主要涉及如下几个方面的技术： 真空、机械、材料、电子、自动控制、计算机 设备结构 高真空生长室： 源发射炉、衬底夹、加热器 过程控制系统： 闸门、热电偶、加热器控制 监测、分析系统： 高能电子、衍射仪质谱仪、俄歇分析仪 真空腔室、真空泵、 真空阀门、真空计 源炉温度控制、 挡板控制、 烘烤控制、 真空度监测、 RHEED监测、 残余气体分析 等 计算机 真空系统 控制与监测系统 分子束外延设备真空系统的组成 进样室（装样、取样、对衬底进行低温除气） 预处理与表面分析室（衬底预除气、表面分析XPS、UPS、SIMS、LEED） 生长室（样品生长） 衬底传递机构（样品在各腔室之间的传递） 生长室 预处理室 进样室 缓冲室 小车 Riber 32P MBE系统 生长室 样品生长 典型的MBE生长室 源炉 荧光屏 RHEED电子枪 观察窗 电离规 衬底 加热器 样品传递 衬底 液氮冷屏 挡板 三、分子束外延工艺 衬底的化学清洁处理 去蜡 去油 腐蚀 贴片 装样 预除气 生长 取样 预除气 待生长室真空度到达规定时，打开生长室与预除气室之间的真空阀，将贴有衬底的钼托传送到预处理室，在一定温度下加热钼托，使其充分放气。真空度达到要求后，加热器降温。将除过气的钼托传送到缓冲室存放，或传送到生长室进行生长。 衬底的脱氧化物 当衬底温度升高到某一特定温度时，衬底表面氧化物迅速分解，脱离衬底。该变化可以由RHEED图样的变化观察到。衬底的脱氧现象可用来确定生长时衬底实际温度所对应的表观温度。 生长 按照预先编制好的程序，在计算机控制下开关各源炉挡板、改变各源炉温度，进行材料的生长。在生长过程中，有关人员密切注意和定时记录仪器的各种状态参数，要及时、正确地处