自动直径控制与晶体质量.pdf

刁 硅酸盐通报 1997年 增刊 自动直径控制与晶体质量 ‘ . . ， 曹野垠 胡 静 王志学 张振亚 匆 (华北光电技术研究所100015) 摘 要:本文对比研究了晶体生和长过程中自动等径控制与人为直径控制各 自的特点;指出了ADC(自动直径牲 制)技术生长晶体过程中固液界面的变化与控制过程的联系;论述了引起界而变化的各种因索及其抑措施;fd时， \助 还讨论了ADC技术对晶体质贵的作用。 关键词:ADC技术，固液界面，主动控制，被动控制，晶体质贵 1.前 言 为依据的，在这种控制特点下长出的晶体表面 CZ法晶体生长过程中，固液界面的稳定与 较为光滑，但可能累计误差较大，即使最有经 变化，是决定晶体质量至关重要的因素。无论 验的操作者，晶坯上下也将出现 I一2mm 的直 是转速或拉速的变化，还是影响温场的功率、水 径偏差。而在我们引进的自动直径控制技术的 温、气温或温场结构的变化，都将最终影响界面 晶体生长中计算机根据所测得的重量信息，计 的形状，从而影响着晶体的内部质量;所以，从 算出直径误差、通过P,I,D算法控制功率的变 各个方面去研究界面的动态规律，始终是晶体 化，另外，计算机还能根据过去时间段功率的 生长研究中的一个永恒课题。这里，我们以从 变化趋势，计算出一基本的功率变化速率 ，并叠 美国引进的生长 YAG晶体的ADC技术为研 加到P,I,D控制算法给出的功率上(I长这一过 究对象，对ADC晶体生长中界面的变化与晶体 程可以下式表示: 质量做了一定的探讨。 Pr=PO+PG二err+IG，}errdt+DG* derr “ 2.ADC技术的控制特点与界面的变化 - +$aserate*At (，、 dt ‘““、‘ “t 、‘} 自动直径控制晶体生长与人为控径晶体生 它的特点是以被动调节为主，即只有在日- 长相比具有其自身的特点。在人为控径晶体生 算机感知到直径变化后，才能给出功率调节，具 长过程中，一般是通过观察晶体直径的变化趋 有滞后性，但与人控相比，具有实时性，它对 势或者固液界面处亮环的变化，确定一个合适 的功率斜率(设为a)，升、降SP值，使熔体的温 应式中的。;一+IG*Ierrd，十。x;x-豁部 度PV值与设定功率SP值保持一致，可用下式 分;以主动调节为辅，它与人控主动调节同样具 简单地表示(假设振荡变化近似以余弦表示): 有一定预见性，但它仅仅是以本次晶体生长规 P(t)=PO+a*At+Pn C‘Oswt (1) 定的某一过去时间段的温度、直径变化的趋势 P(t)为t时刻的功率值，Po为某一设定斜 为依据的，它