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硅酸盐通报 1997年 增刊
自动直径控制与晶体质量
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曹野垠 胡 静 王志学 张振亚
匆
(华北光电技术研究所100015)
摘 要:本文对比研究了晶体生和长过程中自动等径控制与人为直径控制各 自的特点;指出了ADC(自动直径牲
制)技术生长晶体过程中固液界面的变化与控制过程的联系;论述了引起界而变化的各种因索及其抑措施;fd时, \助
还讨论了ADC技术对晶体质贵的作用。
关键词:ADC技术,固液界面,主动控制,被动控制,晶体质贵
1.前 言 为依据的,在这种控制特点下长出的晶体表面
CZ法晶体生长过程中,固液界面的稳定与 较为光滑,但可能累计误差较大,即使最有经
变化,是决定晶体质量至关重要的因素。无论 验的操作者,晶坯上下也将出现 I一2mm 的直
是转速或拉速的变化,还是影响温场的功率、水 径偏差。而在我们引进的自动直径控制技术的
温、气温或温场结构的变化,都将最终影响界面 晶体生长中计算机根据所测得的重量信息,计
的形状,从而影响着晶体的内部质量;所以,从 算出直径误差、通过P,I,D算法控制功率的变
各个方面去研究界面的动态规律,始终是晶体 化,另外,计算机还能根据过去时间段功率的
生长研究中的一个永恒课题。这里,我们以从 变化趋势,计算出一基本的功率变化速率 ,并叠
美国引进的生长 YAG晶体的ADC技术为研 加到P,I,D控制算法给出的功率上(I长这一过
究对象,对ADC晶体生长中界面的变化与晶体
程可以下式表示:
质量做了一定的探讨。
Pr=PO+PG二err+IG,}errdt+DG*
derr “
2.ADC技术的控制特点与界面的变化 - +$aserate*At (,、
dt ‘““、‘ “t 、‘}
自动直径控制晶体生长与人为控径晶体生 它的特点是以被动调节为主,即只有在日-
长相比具有其自身的特点。在人为控径晶体生 算机感知到直径变化后,才能给出功率调节,具
长过程中,一般是通过观察晶体直径的变化趋 有滞后性,但与人控相比,具有实时性,它对
势或者固液界面处亮环的变化,确定一个合适
的功率斜率(设为a),升、降SP值,使熔体的温 应式中的。;一+IG*Ierrd,十。x;x-豁部
度PV值与设定功率SP值保持一致,可用下式 分;以主动调节为辅,它与人控主动调节同样具
简单地表示(假设振荡变化近似以余弦表示): 有一定预见性,但它仅仅是以本次晶体生长规
P(t)=PO+a*At+Pn C‘Oswt (1) 定的某一过去时间段的温度、直径变化的趋势
P(t)为t时刻的功率值,Po为某一设定斜 为依据的,它
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