氧化物磁性薄膜的研究现状及进展研究.pdf

氧化物磁性薄膜的研究现状及进展 兰中文1，孙科1，陈盛明2 (1．电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054 2．江苏省磁性材料与器件工程技术研究中心，江苏无锡214199) 摘要；综述了最新的氧化物磁巨薄膜的研究现状及进展，重点介绍了国际上在尖晶 石、磁铅石以及石榴石铁氧体薄膜制备方面取得的最新研究成果，并指虹令后的发展方向． 关键词：铁氧体；薄膜；尖晶石；磁铅石；石榴石；发展方向 1 引言 电子系统向集成化、平面化、智能化和小型轻量化方向发展的技术趋势，对器件的使 用频率提出了更高的要求。而制约器件高频化的主要原因是电路设计、晶体管的应用频率 及磁性器件的高频化三方面。目前，随着半导体集成技术的日益成熟，前面两个问题已经 得到了较好的解决，但磁性器件的高频化一直是尚未很好解决的难题。在满足特定磁性能 的前提下，磁性器件的高频化要求减小体积和重量，尤其是为了与粉体工艺兼容，从而构 成片上系统(SOC)方面，要求磁性材料由三维的体材料向二维的薄膜材料方向发展。这 方面发达国家一直走在我们前面，如国际上用磁性薄膜做成的各种磁性器件，如薄膜磁记 录介质、薄膜型磁头、薄膜变压器、薄膜电感器、薄膜噪声抑制器、平面薄膜电阻、电容 等的研究。 磁性薄膜材料分为金属磁性薄膜和氧化物磁性薄膜两大类，金属类的Fe，Co及Fe —Ni系等的研究已较为成熟，氧化物类主要分为尖晶石、磁铅石及石榴石铁氧体三大类。 虽然氧化物磁性薄膜的研究已取得较大的突破，但仍处于起步阶段。因此，本文主要就三 大类氧化物磁性薄膜中典型铁氧体薄膜的研究现状及发展趋势进行综述。 2尖晶石铁氧体薄膜 2．1 Mn系铁氧体 上沉积的薄膜矫顽力可降低约25％。 2003年日本东京技术研究院物理电子系用如图1所示高速对向靶溅射制备了MnZn尖 192 能在(111)方向更好的取向。研究表明：薄膜氧化度与靶表面的氧化情况有关，而靶表 面的氧化情况可用表面的放电电压和放电电流来估算，估算结果证实了靶表面可分为三个 4nlvl,为4．8kG。该成膜法沉积速率是传统制膜方法的16倍，大大提高成膜效率。 ferrite plating在玻璃基片上低温(100℃=制备了在GHz频段高磁导(hj曲ly 研究表明：配方中Fe含量z减少，MnZn铁氧体薄膜的电阻率P和表面电阻R呈单调增加的 左右。将其置于微带线上，在GHz频段下测试，薄膜在单位厚度上具有极强的透射ferrite plating损耗，且其损耗是相同组分下商用薄片的lO倍，且该膜还具有非常低的反射系数SlJ -10dB。因此，该薄膜可作为噪声抑制器沉积在多层PCB板的夹层。 ox沛2：iI毽 R砷翱：矗彻 期3l啦on’ I幻lul,,ala ’。—。—。…‘’。_1 r。—’——————‘’ H郴 I Ihcl-41hiOl MtcI·4Ho CI-100c瓣H，II l *CHcoor钭l乙al ————r————J L—————r-——一 l IFlowmk 1 ．彩；：≮毫 上’加撕u咖 獬怒