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．338· 中国太阳能光伏进展
碲化镉太阳电池C—V特性的仿真模拟研究·
杨敏1杨培1．张静全1．12冯良桓1．雷．智，1蔡亚平1
武莉莉1蔡伟．1李卫1黎兵1郑家贵1
^．．． 1四川大学材料科学与工程学院成都610064．
2四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室原子核科学技术研究所成都610064
【摘要】 使用SCAPS软件模拟分析了背接触势垒、吸收层掺杂浓度、测试频率对CdTc
薄膜太阳电池的C—V特性的影响，并与实验测量进行了比较分析。结果表明：
背接触势垒高度增大到0．42eV时，C·V曲线表现为双峰，低电压端峰峰强随频
率升高而减弱。使用双二极管模型和p-n结电容形成机制解释了结果。1
【关键词】 CdTe薄膜太阳电池C·V特性
0引言
，．．CdTe多晶薄膜太阳电池是现在国内外重点研发的高效率、低成本、长寿命新型太阳电池
以材料性质和器件特性实验结果为基础，进行仿真模拟，可认知实验难以测量的器件内部载
流子输运机制，讨论限制电池转换效率的因素，从而优化器件结构设计，这对进一步提高电
池的转换效率具有重要意义。
形成机制和双二极管模型讨论解释了结果。
1物理模型及模拟参数
泊松方程、电子和空穴连续性方程构成的基本方程组，得出电位分布曲线，从而得出电场分
布和其他参数。
图l为模拟电池的热平衡状态的能带图。模拟中考虑器件的前电极不存在势垒，即Sn02：
为一肖特基结，器件输运受多子热激发和少子表面复合约束。界面复合处理使用
重点实验室(四川大学)资助项目。
化合物半导体和空间用太阳电池及材料 ．339．
Pauwels．Vanhoutte理论‘21。求解微分方程时使用Gummel迭代模式12i。
Ni
；CU
图1 CdTe太阳电池的能带图
模拟分析中所用的材料性质参见表1所示。
表1 模拟分析所用的材料性质参数
参 数 ZnTe：Cu CdTb CdS’一
i
厚度d11．tm 一： 0．05 ’． 5．0。 ，，0．10‘
‘1
禁带宽度Es／cV 2．26 1．45， 2．42’j_
电子亲和势zdev 3．53 4．3 4．5
相对介电常数晶 10．1 10．0 8．9
能带有效态密度Ndcm’3 1．5x1018 9．2×1017 1．5x1018
．。。Nv／cm’3、
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