单晶硅炉用碳石墨材料的研制与应用.pdf

一 丁 卜(它丫飞 单晶硅炉用碳石星材料的研侧与应用 那 鹅 v〔川自贡，643000.东析电碳殷份有限公旬) 摘 要 cZ法挂制半导休单晶硅，炉室中使用多种碳石拒材料。 本又筒要介绍单晶 炉炽室结构、工作原理，重点闻述适用碳石墨村料的要求和研侧应用情况。 关健词 单品硅妒 碳石墨材刹 研制与应用 一、单晶炉结构。工作原理 单晶炉大多用于拉例半导体单晶硅。cZ法单晶硅炉室结构如图一所示。炉室中央为石 英蜡溺，供盛装单舀硅原料之用。石英姗蜗支桩在石墨托碗(姗场)内。石里托碗外为圈 筒形电妞式石显加热器。炉室外层为石墨保谁革，上加石显盖板，护室最外层加金属套， 密封形成封团式护室。 单品硅是以高纯度硅粉为原料，在氮或傲气等保护性气氛条件下，经1401-1600℃离 提搏肚仔晶牵引晶拉逐渐长大控侧成型的。拉侧过程中，石扭托碗连同石英蜡塌通过炉皇 底御传动装里低迷旋转，炉室中央上部安装有可上下移动并可旋转(方向与封蜗转向相反) 的仔西奉引杆·电脑控例工艺，拉侧的单西硅棒表面光亮外形规整形如实芯的热水瓶胆。 单备炉按盛装物料容器直径划分炉型规格，引进单品硅炉有80.100.12.14等。我 国95卑箱多用8-12小型护，近年14e1#e用于生产，并逐步向大型护发展.盯年未江大李 已研喇成功我国国产单去炉。 拉侧单石硅工艺流程是:盛装硅粉一 密封炉室一 抽真空一 通屯升沮一通保护气 一 升派一 硅粉熔肚一 仔品入液一 牵引位例一 冷却出护。 二、单晶硅炉谈石扭材料特性 单西妒炉室所用石墨托碗、加热器、保遥翠外形尺寸如表1所示.偌选用大中型碳石墨 毛坯加工。 石挂托碗和石夏加热器是单西炉妒室的关健组件和品耗件。为保证单舀硅的高纯度要 求和生产过程的经济可盆.对破石吕材科其有较高的要求。 117 卜 _ 单舀硅护石拼件规格 辱牡。. 炉型 14 12 10 石墨件 石墨加热器 f446/f402x406 石墨托碗(上)f382/f356x190 f331x120 /297x120 (下) 了382//356x107 jr331x82.5 (297x63.5 石墨保遥革 f497/(485x440 了424x400 石整盖板 f61夕了400x加 首先，石I托碗和加愁签材质的纯度要高。在1500七左右高派下不允许有影响单去硅 纯度的杂质挥发这出。使m表明，采用国产G3(灰份0.035%)高纯石墨例作石握托碗可羞 本满足单西硅纯度要求.其次，石整托碗要求其材质导热率高，热脚胀系数小，抗级化性 抗热冲击性要好。使用单位每拉侧一炉单晶硅，娜希望周期短成本低，往往采取较快的升 洛和冷却这度，尤其要进免生产过程中石墨件碎裂一 报渡牟贵的纯硅材料。但是破石显 材料导热卑等毕竟不如全属#I*,受急冷急热较舀碎裂.除分适当操作控侧谁安速度外， 提高碳石墨材质的密度强度石三化程度，其抗热冲击性和杭氛化性以及使用寿命御将提畜。 石墨托碗的作用是支撑离沮下处于软化状态的石英柑祸。高汉下，硅与石扭有狡