单电源低电压InGaPInGaAs+PHEMT低噪声单片放大器.pdf

第6卷第3期 功能材料与器件学报 2000年9月 JOURNALOFFUNCTTONALMATERIALSANDDEVICES N20o0.03 VSoepl.t6., 文t编号:1007一4252(2000)03一0161一04 单电源低电压InGaP/InGaAsPHEMT低噪声单片放大器 刘训春’，陈 俊’，王润梅’，王惟林 ，‘李无瑕’ 李爱珍2陈建新2，陈意桥 ，“陈晓杰2，杨全魁2 (1.中国科学院微电子中心，北京100010; 2.中国科学院上海冶金研究所，上海200050) 摘要:制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、网值控制以及单电源低电 压低噪声单片放大器。获得了闲值电压接近OV的增强型InGaP/InGaAsPHEMT 器件，并在此墓础上设计制作了可在1,5-3V低电压和单电源下工作的2.5GHz 低嗓声单片放大器。同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析。 关扭词:单电源 ;InGaP/InGaAs;LNA 中圈分类号:TN325.3 文献标识码:A / I 引言 随着移动通信产业的飞速发展、手机市场的不断扩大和通信频率的不断提高，市场对射 频电路的需求量越来越大。目前，在这一领域，GeSi与GA:在射频集成电路领域的竟争十分 激烈。GeSi集成电路的优点是成本较低、导热率较高;但GaAsIC以其频率高、噪声低、功率 附加效率高、容易制作高4值电感等优势在高端射频电路方面仍占上风。然而，GAsIC在 某些方面的弱点，例如GaAsHEMTIC需要双电源供电等，有必要加以克服，以便提高其竞争 力。 为了克服双电源供电问题，也为了适应未来移动通信低电压低功耗的发展趋势，本工作 研究了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阔值控制以及单电源低电压低噪声单片放 大器的制备，获得了阐值接近OV的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件，并在此基础上设计 制备了可在1.5一3V低电压单电源下工作的低噪声单片放大器。同时对该电路性能的进一 步提高进行了模拟分析。 2 器件结构 为了实现GaAsIC的单电源工作，GaAsMESFET或HEMT器件必须是增强型或准增强 型的，因为只有这样，器件才不需要负的偏置电源。然而，在通常情况下，制作增强型器件比 收稿日期:2000-07-24;修订日期:2000-08-24 若金项目;九五攻关课舰(97一706)科学院重大基础项目(KT951一HI一706一05) 作者简介:刘训春(1943一)男，研究员 功能材料与器件学报 6卷 制作耗尽型器件困难得多。其主要原因在于栅槽 Gal、5 sxlolscm 腐蚀深度控制较差，导致阂值涨落较大。鉴于此， 黑 InGaP 我们选用了nIGPa/InCaAsPHEMT新结构’一‘，，， 鹦 InGaP 6xlo 通过选取合适的掺杂浓度和势垒层厚度，设计制 Jlllll 1门GaP 备了具有Ov左右阂值的增强型器件。由于GAas GaAS 对nIGaP的腐蚀选择比相当大 (020:1)，因此， 12nm InGaAS SOOnm GaAS nIGaP/IGnAasPHEMT新结构的阂值控制、闭值 SI GaAs substrate 均匀性、重复性得以显著的改善。 采用的InGaP/InGAasPHEh1T结构如图1 Flg1JnG.p/