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单粒子效应实验中的几个关键技术问题. 侯明东 刘杰 李保权 甄红楼 中国科学院近代物理研究所，兰州 730000 空间重离子和质子在宇航电子学器件中引起的单粒子效应对于航天器的运行安全有着 严重的危害，己成为设计师极为关注的问题。为了系统地了解单粒子效应的影响及加固措 施的效果，人们利用空间搭载和地面模拟等方式对器件和整机进行了各种实验，以便获得 足够的数据来预言电子学系统在真正空间应用时可能发生故障的几率。利用重离子加速器 进行的模拟实验，由于其诸多的优点而在单粒子效应研究中占有重要的位置，加速器实验 成为获得实验数据的重要手段。加速器上的单粒子实验与利用cf源的实验在实验方法和实 验技术上有很大的不同。某些关键的技术不仅影响到实验时间和费用的消耗，而且直接关 系到实验结果的水平和利用价值。本文将根据几年来在兰州重离子加速器上实验的实践， 详细地讨论在回旋加速器上进行单粒子实验的几个关键技术，其目的是引起国内对实验方 法和实验技术的重视，促进实验水平的提高。 1. LET值的选择和改变 LET是一个非常重要的量，在实验中如何选择LET决定着实验的成败。产生单粒子效 应需要入射离子的LET超过某一阂值，而不同型号的器件翻转的闺值不同，因此LET的选 择主要依赖于器件的类型。在实验之前，应尽可能的收集待测器件的有关数据，预估器件 的单粒子效应的敏感性，对于已加固了的器件，相应的LET闭值可能会有很大的提高。因 此，在事先必须对器件的型号、工艺、品级及加固情况有全面的了解，才能正确的选取LETa 另外，翻转截面也是LET的函数。因此，为能全面地获得器件的单粒子效应特性，在实验 中也需要不断改变LET，以获得。一LET谱。 LET是入射离子种类的函数，也是离子能量函数，但LET随离子能量的变化较为缓慢， 因此改变LET的首选方法是改变离子的种类，而以改变能量作为辅助手段。回旋加速器改 变离子的种类需要耗费较长的时间，因此在实验安排上要作到周密的计划。尽可能把使用 同一种离子的实验放在一起进行。 另外，改变入射的倾角，可以改变在灵敏区中的能量沉积，因而改变了有效的LET, 这种方法在不改变离子种类的情况下，扩大了LET的范围，简单易行。但采用此种方法必 须考虑离子是否有足够射程。最大可以倾斜的角度取决于周围材料遮挡束流的蔓延，一般 而言，与芯片表面法线成600的角度入射是可以允许的，它将使LET值增加一倍。 表 1给出了兰州重离子加速器现阶段己加速离子的LET值。从表中可以看出兰州重离 子加速器所提供的离子涵盖了很大的LET范围。通过选择离子种类和倾角辐照，LET值可 以在0.36至109MeV/m眺mmz的广泛范围内改变，这基本上可以满足一般实验的需求。 .中国科学院 “九五”重点项目 152 表1HIRFL提供的离子在Si中的射程和LET位 SFC SSC 离子 离子能量 ISi中-qflw Si表面 离子能量 Si中射程 Si表面 (Mev) (ltm) LET(MeV (MeV) (PM) LET(MeV/m眺m}) /m到cm) 垂直入射 600入射 ，C 54.4 732 2.2 600 4049 0.36 0.7 N 63.4 66.8 29 700 3468 0.48 1.0 仁a0 72.5 62.5 37 800 3059 0.64 1.3 20Ne 48.0 25.4 5.5 500 7367 1.7 3.4 、S 89.3 25.8 孟4刀 960