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利用SU8胶制备X射线深度曝光掩模 彭良强 伊福廷 张菊芳韩勇 (中国科学院高能物理研究所同步辐射实验室，北京100039) 摘要本丈介绍了制备x射线深度曝光掩模的浙方法.该方法采用Microlithography公司的 SUB胶 (厚约20橄米)，只常一次萦外味充/电故蕊得到所雷掩模.该方法无常吊贵的电子未 扫描装里等，也无雷同步辐射翻刻，其有工艺简单 ‘加工周期姐和图形失真小的特点.该方 法适用于线条尺寸to橄米或更大的图形，对于小于s徽米的图形，使用必须审懊. 关健词 LIGA技术，SUB胶，徽机械 1引言 LIGA技术是徽机械制造的一种方法，由x射线深度睡光、电铸和塑铸三部分组成，可广 泛运用于制造徽传感器、微电机、微喷嘴和徽光谱仪等 1【1.x射线深度曝光是其中关键性的 第一步，掩模的制备又是影响睡光工艺箱度的重要环节。有多种方法用于掩模的制备，如电 子束直接扫描法、同步辐射翻刻法、等离子体深层刻蚀法和AZ厚胶方法等。电子束直接扫描 法等需要昂贵的仪器，限制了这类方法的应用，厚AZ正胶应用于掩模制备时存在图形失真较 大的缺点。本实验室通常采用同步辐射翻刻法幻〔，即首先用紫外曦光/电镀方法制备厚约IPA 的中间掩模，经x光曝光、电铸后制成厚约十几Nm的X射线用掩模，其制作工艺复杂、制造 周期长.SU8胶是Microlithography化学公司开发出来的一种新型负胶，可用于常规紫外光 刻机曝光，不用同步辐射就可制备高宽比为10,厚约几百Nm的微结构，但与LIGA技术相比， 受紫外光衍射的影响，厚度很大时，圈形失真较大，只能用于精度不高的场合 3【1.考虑到 厚度不大时紫外光衍射的影响较小，图形失真小，本文提出利用SU8胶制备x射线曝光掩模 的方法并给予介绍。 2实验 首先在单晶硅抛光面上用低压化学气相沉积法制备厚约2pm的氮化硅，然后在基片表面 真空蒸镀约0.1Nm金属铬/金导电层，再旋涂厚约20}us的SU8-5光刻胶.前烘、紫外曝光、 显影以及等离子体刻蚀残胶，然后在亚硫成盐镀金液中脉冲电镀金[41，去胶后在墓片背面用 等离子体刻蚀氮化硅 (开窗)，最后在氢氧化钾溶液中背向挖蚀硅片，得到衬底为氮化硅吸收 层为金的x光掩模。x射线曝光在北京同步辐射装f(BSRF)的3WIA实验站上进行，实验过程 详见文献 2【1. 3结果与讨论 由于SU8胶的工艺、使用效果与所用仪器有关，说明书仅给出一个大致范围。实验一开 始时胶的厚度控制重复性差，后来采取在室温下陈化一段时间的方法得到厚度可重复的结果 。SU8胶的厚度控制在约20Nm，目前我们得到的最细线条为5Nm。图1是电铸出的梳状结构x 射线掩模的扫描电镜照片，线条宽度为5pu，侧壁陡直，线条宽度与掩模一致，均匀性较好。 同时从图1还可看出，尽管线条宽度好，但线条端点处尖角变圆，这可能是紫外线的衍射效 应所致也可能是SU胶自身的原因所致，因此对于小于5徽米的结构，使用SUS胶时必须审 懊.胶与硅基底的结合力好，但蒸金后结合力不好，电镀和去胶时需控制温度等参数使之在 图1梳状结构x射线掩模照片 图2金丝网结构的扫描电镜照片 电镀试验的进一步结果表明，亚硫酸盐镀金液中脉冲电镀可得到厚度均匀、表面平整的 镀层.图2是优化电镀参数后电镀出的丝网结构的扫描电镜照片，线条宽度为Spa,高度为 19，可见很好地满足了对x射线掩模的要求.图3是利用图1所示的金/氮化硅掩模得到的 PMMA胶结构图像，厚度为470pa，最小宽度约lope，高宽比为44, 图3PMYA梳状结构的扫描电镜照片 4结论 对于线条宽度在lope或以上的结构，利用sub胶制备x射线曝光掩模，x射线深度曦光 的效果令人满愈.对于spa的细线条，金结构侧壁陡直，线条宽度与掩模一致，均匀性较好， 但其线条端点处尖角变圆，因此若无端点或对线条端点要求不高，ill:胶仍然可以用于精细 结构的掩模制备，若对线条端点要求较高，sub胶不能用于制备这样的掩模。 52 致谢 本工作是在国家攀登计划 “徽电子机械系统”的子课题 “LIGA技术基础研究”的资助下 完成的。中国科学院化学所习复研究员提供了PUMA正性x射线抗蚀剂，中国科学院徽电子中 心叶甜春研究员提供了氮化硅基片，在此表示感谢。 参考文献 (1]E.，Bec