利用UHVCVD技术在多孔硅上生长Ge量子点的研究.pdfVIP

第七届全国固体薄膜学术令iY 2000年10月 ·广西 ·北海 利用UHVICVD技术在多孔硅上 生长Ge量子点的研究 黄靖云 叶志镇 汪雷 赵炳辉 浙江大学硅材料国家重点实验室 310027 Email:silab@cmsce.zju.edu.cn 劣 近年来，半导体量子点由t#}%7N.[.rtM.A.S}}.N.,笠 ‘艺ar,江二露}tTL4r1-k 体量子点的三维量子效应，使电子运动的自由度降低，导致体系的有效状态 密度和电子的能量发生显著变化，表现出一些新颖的物理特ItI从而使其在 体量 人们 ized 量并 密度 vi族 价梢翔共 的、N-N族 的最子点半导体。 依靠 自身的应变能量并 自组织生ew1是具有较大晶格失配度的两种材料 这对材料的选择有很大的 以S-K生长模式，在衬底表面上形成里子点结构。这对材科99选浮月，民人口。 要求，由于Ge/Si系统的失配度不是很大，因此在硅上自组织生长锗量子点 比较困难。在本文中采用量子尺寸的多孔硅作为衬底，利用区域优先成核 性，在多孔硅表面 自组织生长 Ge量子点。 2 Ge量子点的生长 根据K.Barla等对多孔硅的双晶射‘线衍射分析，多孔硅的pni}节资 生增人现象。由于锗的成核优先发生在应变最小处·如果我门‘能制备巴洲理 分布的、量子尺寸大小的多孔硅，多孔硅相当于电子束辐射或全息光赞竺r 的生长表面。我们就可能采用比较简单工艺在多孔硅衬底上实现均匀0-M 成核 ， 我们的 日的是在硅片表面获得量子尺寸的均匀的多孔 ，我们 自制的多孔 硅电解的装置如图 1所示。硅片背面蒸发了一层铝，然后用铜 电极压在上 一 .一 -一 一--~，，，..叫，，月目..，，呻一 ZIX幻年10月 ·广西 ·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 面，形成较好的欧姆接触 。以获得均匀的电流密度。制作多孔硅 的硅片为 p(100)，电阻率为0.05或 loQcm左右。电流密度为 10一somAjcmZ，我 们在较小的电流密度下获得了比较均匀的量子尺寸的多孔硅。电解液为乙醇 稀释的 HF，浓度为 30%，电解 时间是 5一10分钟。 \ 硅片 铜电极 图 1 电解 多孔硅设备示意 图 多孔硅制好后，用 HC!腐蚀去除蒸发的铝。再用改进的 RCA清洗方法清 洗硅片，然后装入 UHV/CVD 系统。生长温度为 720℃，GeH闷流量为 SSCCm 时间为 5分