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低阻Sn02薄膜的制备及其性质研究’
李爱武’，陈丽华’，白旭东2，吴连海’，王修中’，贾秀利4，全宝富’
(I.吉林大学 电子工程系;2.物理系.吉林长春 130023;
3.吉林华星电子集团公司，吉林 吉林 132011;4.吉林粮食高等专科学校，吉林 长春 130023)
摘 共:采用Sol一Gel法钊备了Sao,薄膜.研究
了渗杂含t、气氛处理、烧姑时间、cl-子实脸条件 3 实验结果与讨论
对SnO2薄膜电阻的影响，分析了影响的机理，并利
用这种低妞Sno,薄成制作成热钱型气敏元件，发现 3.1实验条件对薄吸电阻的影晌
它对H,S气体买有校好的气毅特性，表现出良好的 3.1.1掺Sbf对Soo,薄膜电阻的影晌
选择性，同时共有校好的响应一恢复特性、 己知Sno,是n型半导体，在其中掺入SbCl,}Sb
关健词:Sol-Gel法;SR02琳麟 ‘气敏特性 在加热时会变成 Sb0，由于五价的Sb2代替四价的
Sn4，位f，为了对 b替代产生的正电荷进行补偿而
1 引 言 产生自由电子.因此，n型Soo,的电导率随Sb的
掺入而改变[;3/.
SnO2是一种应用广泛的气敏材料，但目前使用 另外.S砂的离子半径是 。.071mn.Sb的离子
的SnO:气徽传感餐多为烧结型和厚腆型，存在功耗 半径是0.062nm，由于它们的离子半径相近，取代
大、选择性较差、不易集成化等问肠。而直热式、 后发生晶格崎变的程度小。再加上 Sn的电负性是
1.Sb的电负性是1.9.非常相近，所以Sb容易取
平面热线型元件由于尺寸小、便于集成化而受到人
代So.
们的盆视，但所器的材料要求低阻。因此研究低阻
在实脸中按Sb3/Sn奉尔比为0.01、0.03,0.05,
气教薄腆材料具有十分，要的意义。本文利用Sd-Gd
0.07-0.09分别配制溶胶。并经过甩胶分别徐子荃片
法制备了低阻Sn乌薄膜，并对其气徽性进行了实验
上，经3600C预烧后再在7000C.氮气气氛下烧结2h.
研究。
可形成Sao:薄膜·接Sbf对Sao,薄膜电阻的影响
示于图1中。由图I可以着出，当SbISn4》3%时
2 实 验
2.1Sao,溶胶及薄服的制备m
Sncl。水溶液加一定比例的柠裸徽，用氛水滴
定，得到Sn(OH),沉淀;离心洗涤去除C1一离子， 口
)
口
甘
用草酸回榕，即得So(p呱胶体 ·在清洗干净的Si
衬底上用旋转涂砚法甩上上述胶体.然后经3600C烧
结
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