传感器原理及应用第7章 磁电式传感器PPT.ppt

7.2 霍尔式传感器 7.2.1 霍尔效应 传感器原理及应用 第7章???????磁电式传感器 把一个导体（半导体薄片）两端通以电流I，在垂直方向施加磁感强度B的磁场，在薄片的另外两侧会产生一个与控制电流I和磁场强度B的乘积成比例的电动势 。 或通电的导体（半导体）放在磁场中，电流I与磁场B方向垂直，在导体另外两侧会产生感应电动势，这种现象称霍尔效应。 1878年美国物理学家霍尔首先发现金属中的霍尔效应，因为太弱没有得到应用。随着半导体技术的发展，人们发现半导体材料的霍尔效应非常明显，并且体积小有利于集成化。霍尔传感器是基于霍尔效应 7.2 霍尔式传感器 7.2.1 霍尔效应 传感器原理及应用 第7章???????磁电式传感器 在磁场作用下导体中的自由电子做定向运动。 每个电子受洛仑兹力作用被推向导体的另一侧： 霍尔电场 霍尔电场作用于电子的力 7.2 霍尔式传感器 7.2.1 霍尔效应 传感器原理及应用 第7章???????磁电式传感器 当两作用力相等时电荷不再 向两边积累达到动态平衡： 通过（半）导体薄片的电流I与下列因素有关： 载流子浓度n，电子运动速度v，导体薄片横截面积 b*d， e 为电子电荷量。 霍尔电势： 7.2 霍尔式传感器 7.2.1 霍尔效应 传感器原理及应用 第7章???????磁电式传感器 代入后： 与薄片尺寸有关 与材料有关 霍尔灵敏度 霍尔常数 式中：ρ—电阻率、n—电子浓度 μ—电子迁移率μ=υ/E 单位电场强度作用下载流子运动速度。 霍尔电势与电流和磁场强度的乘积成正比 7.2 霍尔式传感器 7.2.1 霍尔效应 传感器原理及应用 第7章???????磁电式传感器 讨论： 任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势，但不是都可 以制造霍尔元件; 绝缘材料电阻率ρ很大，电子迁移率μ很小，不适用； 金属材料电子浓度n很高，RH很小，UH很小; 半导体材料电阻率ρ较大 RH大，非常适于做霍尔元件， 半导体中电子迁移率一般大于空穴的迁移率，所以霍尔 元件多采用 N 型半导体（多电子）; 由上式可见，厚度d越小，霍尔灵敏度 KH 越大， 所以霍尔元件做的较薄，通常近似1微米(d≈1μm) 。 7.2 霍尔式传感器 7.2.2 霍尔传感器基本电路 传感器原理及应用 第7章???????磁电式传感器 霍尔晶体的外形为矩形薄片有四根引线， 两端加激励，两端为输出，RL为负载电阻 ； 电源E通过R控制激励电流I； B 磁场与元件面垂直（向里） 实测中可把I*B作输入， 也可把I或B单独做输入； 通过霍尔电势输出测量结果。 输出Uo与I或B成正比关系，或与I*B成正比关系。 7.2 霍尔式传感器 7.2.3 霍尔传感器的误差及补偿 (1)不等位电势 传感器原理及应用 第7章???????磁电式传感器 当霍尔元件通以激励电流I时，若磁场B=0，理论上霍尔电势UH=0,但实际UH≠0，这时测得的空载电势称不等位电势 U0 。 产生的原因： 霍尔引出电极安装不对称不在同一等位面上，或激励电极接触不良。 半导体材料不均匀，几何尺寸不均匀，造成电阻率不均匀。 7.2 霍尔式传感器 7.2.3 霍尔传感器的误差及补偿 (1)不等位电势 传感器原理及应用 第7章???????磁电式传感器 不等位电势的补偿： 不等位电势可表示为 U0 = r0 IH r0不等位电阻 分析不等位电势时可把霍尔元件等效为一个电桥，不等位电压相当于桥路初始有不平衡输出U0≠0，可在电阻大的桥臂上并联电阻。 7.2 霍尔式传感器 7.2.3 霍尔传感器的误差及补偿 (2)温度误差及补偿 传感器原理及应用 第7章???????磁电式传感器 霍尔元件是半导体元件，它的许多参数与温度有关。当温度T变化时，载流子浓度n、迁移率μ、电阻率ρ，霍尔系数 RH 都会变化。以下是几种补偿方法： 恒流源补偿： 由 UH = KH I B 可见恒流源I供电可使UH稳定， 但灵敏度系数 KH = RH/d = ρ μ/d 也是温度的函数： T ρ μ ，温度T变化时灵敏度KH也变化。 多数霍尔器件是正温度系数，T KH ，可通过减小I保持 KH * I 不变，抵消温度造成KH增加的影响。 7.2 霍尔式传感器 7.2.3 霍尔传感器的误差及补偿 (2)温度误差及补偿 传感器原理及应用 第7章???????磁电式传感器 具体补偿方法:在霍尔元件上并联一电阻 Rp 分流， IH UH RiN 当T IP UH Rp 自动加强分流，使Ip 增大， IH 下降，UH下降