多晶Au纳米线大塑性变形的原位透射电子显微镜研究.pdfVIP

第33卷 第4期 电 子 显 微 学 报 Vo1．33．No．4 2014年 8月 JournalofChineseElectronMicroscopySociety 2014-08 文章编号 ：1000-6281(2014)04-0295-05 多晶Au纳米线大塑性变形的原位透射电子显微镜研究 蒙 月 ，王立华 ，张 泽 ，韩晓东 (1．北京工业大学固体微结构与性能研究所，北京 100124； 2．浙江大学电镜中心，材料科学与工程学系，浙江杭州 310027) 摘 要：本文利用透射电镜 双‘倾拉伸实验 ’技术，原位研究了Au多晶纳米线在拉伸状态下的变形行为。实验发 现由纳米晶粒组成的多晶纳米线在室温下具有一48％的大塑性变形能力。这种大塑性变形能力由晶界滑移和晶 界的迁移相互协调实现。在滑移的同时，通过晶界原子扩散导致的晶界迁移来协调晶界滑移，避免空洞和裂纹的 产生。 关键词：多晶纳米线；TEM原位拉伸；晶界扩散；晶界滑移；晶界迁移；大塑性变形 中图分类号：TB383；TGll5．215．3；TG111；TGll5．5 文献标识码：A doi：10．3969／j．1000-6281．2014．04．002 材料的弹塑性变形机制直接决定着材料的强 为，但 由于实验方法的限制，其无法精细阐明晶界塑 度、硬度、可加工性等重要工程应用材料的力学性 性行为的机制，仍然依赖分子动力学模拟。 能_1 。在材料中，通过促使晶粒尺寸减小的方式 针对以上 问题，本文利用透射 电子显微镜 “双 可显著提高多晶材料的强度，但这同时降低了材料 倾拉伸实验”技术 ，实现了在透射 电子显微镜 的塑性和可加工性。如何了解纳米晶材料的弹塑性 中对多晶Au纳米线单轴拉伸过程的原位动态观 变形机制，提高纳米晶金属材料的塑性，是国际范围 察 。研究了小晶粒尺寸的多晶纳米线的塑性变形机 的前沿课题。研究认为 ：在多晶体系中，当晶 制，直接证实了室温下大塑性变形能力可以通过晶 粒尺寸 (d)15nm时，其塑性变形主要是晶粒内部 界行为实现 。 的位错行为；当晶粒尺寸 (d)15nm，晶粒 内部的 1 实验 位错行为将不起主导作用，塑性变形由晶界扩散、晶 界滑移和晶粒转动等晶界行为控制。这些晶界行为 本实验 中所用 Au纳米线制备方法如下。首 是材料高温变形过程中常见的塑性机制，它们是导 先，利用电子束蒸镀方法在 SiO／Si双层基底上制 致高温超塑性行为的原因¨’J。但这些晶界行为 备厚度为 15nm的Au纳米晶薄膜。基底温度约为 如何参与于纳米晶多晶材料体系的室温塑性变形行 4O℃，沉积厚度可以通过仪器精确控制。然后，将 为并不清晰 I’J。尤其是，当纳米晶多晶体系由 制备成的纳米晶薄膜固定在双金属片上进行拉伸。 三维转化为一维时，晶界和表面扩散 墙显著增强 在纳米晶薄膜拉伸过程中，经常会有 由多个晶粒组 时的多晶纳米线体系的弹塑性力学行为研究较少。 成的多晶纳米线形成，从而可 以实现对多晶纳米线 晶界塑性行为的分子动力学模拟中，并没有观察到 拉伸过程 的观察。 多晶的微米线／纳米线具有大塑性能力[19-21]。人们 图1a是制备的Au纳米晶薄膜的TEM明场像， 认为这可能源于计算机模拟应变速率 (一l0)远高 从图中可以看出薄膜非常致密，晶粒分布均匀，质量 于实际实验 (应变速率 ～10 )的事实。高的应变 非常好。图1a中右上角的插图是纳米晶薄膜的选 速率在很大程度上限制了晶界扩散的发生。在实验 区电子衍射图，每一个衍射环的亮度分布均匀，