模电课件03.pptVIP

3.1.4 N型半导体和 P 型半导体 3.1.4 N型半导体和 P 型半导体 3.2 PN结的形成及特性 3.2.1 PN结的形成 3.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 3.2.3 PN结的反向击穿 当PN结两端所加的反向电压超过反向击穿电压时，反向电流突然大大增加，成为反向击穿（电击穿）。 如果反向电压和反向电流的乘积超过PN结允许的耗散功率，就会使PN结过热而烧毁，这种现象称为热击穿。 电击穿是可逆的，热击穿则不可逆，两者往往共存。 3.2.4 PN结的电容效应 扩散电容：PN结外加正向电压时，多子扩散越多，浓度增加，电流增大，反映外加电压下载流子在扩散过程中的积累情况。 势垒电容：PN结所加电压不同，空间电荷不同，具有电容效应。 PN结正向偏置时，主要取决于扩散电容，反向偏置时，主要取决于势垒电容。 低频时一般不需要考虑电容效应。 3.3 二极管 3.3.1 基本结构 3.3 二极管 3.3.2 伏安特性 半导体二极管的伏安特性曲线 3.3.3 主要参数 3.5 稳压二极管 3. 主要参数 例： 例6： 理想二极管电路中 vi=V m sinωt V，求输出波形v0。 例7：画出理想二极管电路的传输特性（Vo~VI）。 例8：画出理想二极管电路的传输特性（Vo~VI）。 2．模型分析法应用举例 （2）静态工作情况分析 理想模型 （R=10k?） 当VDD=10V 时， 恒压模型 （硅二极管典型值） 折线模型 （硅二极管典型值） 设 当VDD=1V 时， （自看） （a）简单二极管电路 （b）习惯画法 2．模型分析法应用举例 （3）限幅电路 电路如图，R = 1kΩ，VREF = 3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI = 6sin?t V时，绘出相应的输出电压vO的波形。 2．模型分析法应用举例 （4）开关电路 电路如图所示，求AO的电压值 解： 先断开D，以O为基准电位， 即O点为0V。 则接D阳极的电位为-6V，接阴极的电位为-12V。 阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。 导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D阳极的电位。 所以，AO的电压值为-6V。 2．模型分析法应用举例 （6）小信号工作情况分析 图示电路中，VDD = 5V，R = 5k?，恒压降模型的VD=0.7V，vs = 0.1sinwt V。（1）求输出电压vO的交流量和总量；（2）绘出vO的波形。 直流通路、交流通路、静态、动态等概念，在放大电路的分析中非常重要。 电路如图，求：UAB V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳V阴 二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 否则， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V 例1： 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 在这里，二极管起钳位作用。 D 6V 12V 3k? B A UAB + – 两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V UD1 = 6V，UD2 =12V ∵ UD2 UD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V 例2: D1承受反向电压为－6 V 流过 D2 的电流为 求：UAB 在这里， D2 起钳位作用， D1起隔离作用。 B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 例3： 二极管的用途： 整流、检波、 限幅、箝位、开 关、元件保护、 温度补偿等。 u2 18V 参考点 二极管阴极电位为 8 V D 8V R uo ui + + – – 3.5 特殊二极管 3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管) 1.符号及稳压特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 (1) 稳定电压VZ (2) 动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?VZ /?IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin (5)稳定电压温度系数——?VZ 2. 稳压二极管主要参数 3