高压ZnO压敏陶瓷的制备与性能研讨.pdfVIP

陛压料技大筝 论文题目： 高压ZnO压敏陶瓷的制备与性能研究 申请学位学科：工学 所学学科专业：材料学 培养单位：材料科学与工程学院 硕士生：齐国权 导师：朱建锋副教授 201 1年5月 SYNTHESISAN’DPROPERTIESoFHIGHVOI卫AGE GRADIENTZnoVAmSToRS AThesisSubmittedto and Shaanxi ofScience University Technology inPartialFulfillmentofthe forthe of Degree Requirement Master of．E．．．．n．．．g．．．i．．n．．．e．．．e．．．r．．i．．n．．．g．． Thes 高压ZnO压敏陶瓷的制各与性能研究 摘要 自从1968年日本松下电器公司研发了ZnO压敏电阻器以来，便因其 具有较低的成本和优异的电学性能已成为电子与电力领域作为过电压保护 必不可缺少的元件而被广泛应用，并已成为制备避雷器的核心部件。由于 高压输变电和集成化电路的发展需要以及环保节能要求，制备高压ZnO压 敏电阻已成为目前研究热点。本文对ZnO压敏电阻导电机理进行了讨论， 并系统研究了高压ZnO压敏陶瓷的制备及其相关电学性能改性。 EDS等测试结果表明稀土氧化物的引入，不仅改变了尖晶石第二相的生成 方式，使其具有细小的颗粒尺寸，而且能生成含稀土元素的相也钉扎在ZnO 晶界，从而抑制了氧化锌晶粒的生长，均化了该材料的微观结构。另外， 稀土添加剂在压敏电阻烧结过程中使ZnO晶体的自由电子浓度增大，填隙 锌离子的总浓度下降，使填隙锌离子的传质能力下降，进而也起到了抑制 学性能。然而，由于Y203是施主掺杂，其提供的大量电子造成了ZnO肖 特基势垒的降低，从而降低了非线性系数，并增大了漏电流，从而不利于 由于烧成温度影响到了微观组织的分布和ZnO晶粒生长，从而影响到压敏 电阻的电学性能。实验得出最佳烧成温度为1150 砒．％时，该压敏电阻具有最佳电学性能：压敏电压为340 V／mm，非线性系 数为44，漏电流为O．4肛A。 为研究基础，引入了硝酸盐热分解法和高能球磨法。通过对相组成、微观 结构和电学性能的分析和测试可知，利用硝酸盐热分解法能极大地细化添 加剂粉体的颗粒细度及改善颗粒分散均匀性，从而使得纳米级添加剂在试 样烧成过程中起到限制ZnO晶粒长大的作用，从而提高了电学性能。利用 硝酸盐热分解法可以制备出结构组织均匀、电学性能优异的压敏电阻片。 在烧成温度为1150 V／ram、漏电流大约为0．7 oC时，压敏电压大约为480 pA 和非线性系数为44。 高能球磨可制备晶粒尺寸细小、均匀的ZnO压敏电阻粉体，该粉体的 最佳烧成温度为1100oC，较传统球磨方法的烧结温度下降了100oC左右。 高能球磨并没有改变ZnO压