MBE+InGaAsGaAs量子点的生长温度优化研究.pdfVIP

MBE InGaAs／GaAs量子点的生长温度优化 段瑞飞木曾一平王宝强朱占平 中科院半导体研究所新材料部北京912信箱100083 摘要 使用固源分子束外延(SS．MBE)，我们生长了一系列的变生长温度的 Ino 我们发现量子点的形貌强烈依赖于其生长温度。在一定临界温度以下，量子点无法 形成．随着成点温度的提高，量子点的体积逐渐增加．通过计算量子点的密度，我 们得到了InGaAs／GaAs生长的优化温度，在此温度下，量子点具有最高的密度和最 好的均匀性。 关键词分子束外延，量子点，原子力显微镜，生长温度，优化 l简介 量子点由于其三维方向都受到限制，其能带呈现6函数的分立结构。理论上预测它的能 谱类似于单原子的能谱，并且在红外探测器，激光器，单电子晶体管以及量子计算机中具有 很好的应用价值lll。但是实际从PL测量中我们得到的往往是很宽的谱线，其半高宽(FWHM) 大约为几十到上百meV，远大于量子阱几个meV的半高宽{21。其后人们又进行了～系列的单 量子点的PL谱工作，发现极细的光谱线pl。由此证实常规测量中量子点谱线的展宽是由于量 子点的不均匀性造成的。为了获得性能更好的量子点器件，提高量子点的均匀性和密度是一 个很关键的问题，人们尝试了各种方法，如垂直耦合量子点㈣’，使用不同面指数的衬底等日1， 都取得了一些效果。而实际上，我们通过简单的生长温度控制，在我们的MBE系统上有效地 提高了量子点的密度和均匀性，可以作为高性能量子点器件制作尤其是InGaAs量子点器件制 作的参考。 2实验 GEN 我们的样品是在EPI 11分子束外延设备上生长的，使用的是全固源的分子束，其中 As炉是EPI公司设计的裂解炉，可以有效地使As4裂解为As2。样品选择了名义成分为 As 40A(约14ML) 1ML Ino 63 ，选择的淀积厚度为 oaG73．1度厚界临点成的出算计人他其于高， (对Ino35Gao 入生长室进行生长。我们用GaAs衬底脱氧化层温度580℃精确确定我们的实际生长温度，在 高温550℃～580℃生长O．2|lm的GaAs缓冲层，然后将衬底温度降到需要的生长温度，我们 Ino37Gao63As。为了是生长均匀，整个生长过程中衬底都保持转动。然后在富As的条件下， 急速降温到350C。样品取出后，保存于清洁干燥处，取其中间位置5×5mm的小片做AFM 测试。 109 3结果与讨论 实验条件和结果列于表一和图一中。 表一、量子点生长条件 样品号 生长温度(℃) V／Ill比 As柬流(乇) 生长厚度(ML) COl5 460 30 8．6×10．6 14 C013 490 30 8．6×10．6 14 COl2 5lO 30 8．6×IO-6 14 C016 530 30 8．6×lO．6 14 COl7 550 30 8．6×lO-6 14 图一、不同温度下的Ino3Gao ‘从图一中我们可以清楚的看到随着衬底温度的变化，外延层从单原子层生长到形成岛， 从到密度由小到大，到点的逐渐长大的过程。我们可以看到这些点中530C-F生长的点是最致 密均匀的。我们用软件进行了量子点尺寸和密度的数量分析，得到