濕蝕刻製程簡介.pptx

課程簡介 1. 蝕刻(Etching)是什麼? 1.1 蝕刻是將材料利用化學反應或物理撞擊作用方式移除的技術。 2. 依其反應方式可分為濕蝕刻(Wet Etching)與乾蝕刻(Dry Etching) 。 2.1 『濕蝕刻』利用化學溶液，經由化學反應達到蝕刻的目的。通常可藉由選擇特定蝕 刻劑(Etchant) 來達成對於特定材料選擇性。濕蝕刻反應為等向性蝕刻(Isotropic Etching)。 2.2 『乾蝕刻』利用氣體分子或其產生的離子及自由基等氣體電漿物質，對於材料進行 物理式撞擊濺蝕或化學反應，來移除材料所需蝕刻的部分。而被蝕刻的物質變成 揮發性的氣體，經由抽氣系統抽離。通常乾蝕刻製程為非等向性蝕(Anisotropic Etching)。 乾蝕刻，利用離子轟擊方式 濕蝕刻，利用化學溶液方式 學習重點 一、濕蝕刻製程 二、蝕刻參數 三、矽蝕刻 四、蝕刻液組成 五、Filament Bridge 蝕刻處理 六、課後問題 附圖_以濕蝕刻之蝕刻溶液（即反應物）與薄膜所進行的反應機制 1. 濕蝕刻反應機制: (1) 反應物擴散至邊界層→與材料進行反應→生成物擴散出邊界層(boundary layer) (2) 濕蝕刻進行時，溶液中的反應物首先經由擴散通過停滯的邊界層(boundary layer)， 方能到達晶片的表面，並且發生化學反應與產生各種生成物。蝕刻的化學反應的生 成物為液相或氣相的生成物，這些生成物再藉由擴散通過邊界層，而溶入主溶液中。 2. 濕蝕刻製程: 將材料浸沒於適當的化學溶液中，或將化學溶液噴灑至材料上，經由溶液與被蝕刻物 間的化學反應來移除材料表層的原子。 濕蝕刻製程 蝕刻參數(Etch Parameter) 無論乾蝕刻或濕蝕刻製程中，皆須針對反應速率或製程時間進行量化控制， 以下幾點參數可作為參考： 1. 蝕刻率(Etch rate):通常蝕刻前後膜厚差異與蝕刻時間的比值 R = (蝕刻前後膜厚差值)/蝕刻時間 (R:Etch rate) 2. 選擇比(Selectivity):主要為相同蝕刻劑對於不同材質的蝕刻率比較 S = EA/EB (S:Selectivity EA:對於A物質的蝕刻率 EB:對於B物質的蝕刻率) 3. 蝕刻均勻性(Etch Uniformity):依據同一反應物於不同位置的蝕刻速率均勻性 U = (Rhigh –R low)/ (Rhigh + R low) (U:Etch Uniformity Rhigh:最高反應速率 Rlow:最低反應速率) 矽蝕刻(Silicon Etching) 1. 通常在濕蝕刻反應中，最常使用來酸性蝕刻的化學溶液為HF(氫氟酸)與HNO3(硝酸) 2. HF/HNO3組成的蝕刻反應為等向性蝕刻，化學反應如下: (1) NO2 formation(HNO2 in trace amount in HNO3) HNO2 + HNO3 → 2NO2 + H2O (2) Oxidation of Silicon by NO2 2NO2 + Si → Si2+ +2NO2- (3) Formation of SiO2 Si2+ + 2(OH)- → SiO2 +H2 (4) Dissolution of SiO2 SiO2 + 6HF → H2SiF6 + 2H2O (5) Overall Reaction 3Si + 4HNO3 + 18HF → 3H2SiF6 + 4NO + 8H20 3. 矽蝕刻主要包含Silicon Oxidation 以及 Dissolution，HNO3 扮演將Silicon 氧化的角色， 而HF 則扮演將SiO2 溶解的角色。無論是單晶矽或多晶矽蝕刻中，HF/HNO3組成混酸 是必要的。 矽蝕刻(Silicon Etching) 1. 通常在濕蝕刻反應中，另外使用來蝕刻矽材的鹼性化學溶液為NaOH或KOH，此蝕刻 反應為非等向性蝕刻，化學反應如下: Si + 2OH- → Si(OH)22+ + 2e- Si(OH)22+ + 2