Ni基带上的氧化物过渡层制备研究.pdfVIP

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第 卷 第 期 低 温 物 理 学 报 ! ! # $%’! (%’# !! !! !! !! !! 年 月 +,-(./.0123(4516517 8.9:.34823.:,;/-+/ ! !))# ** (%’!))# 基带上的氧化物过渡层制备 % 陶伯万 吴 键 陈 寅 熊 杰 李言荣 !! ! !! ! !! ! !! 电子科技大学微电子与固体电子学院 =*))#O ! 本文采用溅射沉积方法在双轴织构的 基带上制备了 和 薄膜 研究 (GH7#I +B1 ; 1 ’ ! ! ! ! T 表明 薄膜在 基带上的外延方式受生长速率生长温度的控制 在快速沉积情况下! +B1 (G ’ ! 薄膜为# $取向!在沉积速率较低时!以# $取向为主 薄膜沉积过程中!可以 +B1 *** ))( ’+B1 ! ! 有效避免 的氧化 在 的沉积过程中! 基带的氧化不可避免!但其氧化物也有良好 (G ’ ; 1 (G ! T 的取向’ 关键词%氧化物 !过渡层!外延 !反应溅射 % )*## =R## *引 言 !! 自高温超导现象发现以来!世界各国科学家对其材料组成结构特征性能应用等各方 面进行了广泛深入的研究 高温超导材料的强电应用一直是一个重要的方向!各国政府在这 ’ ’ * T 方面投入了大量的资源进行研究 ! !并取得了丰硕的成果 以 # $为基 ’ ;@+E1 ;+1 ! T cO 础的第二类高温超导带材以其更高的临界电流密度# $和更加优异的高场下的性能成为了 $ 高温超导导体研究中的热点’ 为适应工程应用!第二类高温超导带材需要制作在能够卷曲的柔性金属基带上 目前的

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