基于硅基共振隧穿二极管与CMOS的数字电路研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 基于硅基共振隧穿二极管与CMOS的数字电路 马龙，王良臣，杨富华 (中国科学院半导体研究所半导体集成技术中心，北京100083) 摘要：硅基纳米电子器件RTD与CMOS电路相结合，这种新型电路不仅保持了在工艺上 的兼容性以及CMOS动态电路的所有优点，而且在工作速度、功耗、集成度以及电路噪声 免疫性方面都得到了不同程度的改善和提高。本文对数字电路中比较典型的可编程逻辑门 和流水线加法器进行设计与模拟。同时讨论了在目前硅基RTD器件较低的PVCR值情况下 实现相应电路的可行性。 关键词：共振隧穿二极管(RTD)，互补金属氧化物半导体(CMOS)，可编程逻辑门，流水线 全加器 1．引言 互补金属氧化物半导体(CMoS)在半导体产业中一直占据着统治地位，遵循摩尔定律， 通过特征尺寸的缩小达到更高的集成度，更快的速度以及更低的功耗。根据美国半导体工 业协会(SIA)的预计，这种趋势还会继续10一15年。而后随着特征尺寸向纳米尺度靠近， 量子效应逐渐显现并占据主导地位，采用纳米电子器件与CMOS相结合的电路将成为其发 展的方向。共振隧穿二极管