OLEDoS驱动电路中高压CMOS器件研讨.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 王晓慧 杜寰 韩郑生 (中国科学院微电子研究所北京100029) 摘要：本文对工作电压在10V一18V范围内用于硅基OLED(OrganicLightEmitting on TCAD软件环 DisplaySilicon)驱动电路的高压CMOS器件进行了模拟。在Synopsys 境下，以中国科学院微电子研究所的O．8um标准CMOS工艺为基础，模拟了栅长为0．8 um的NlVlOS和PMOS器件，通过不断调整LDD区域的长度及杂质浓度，使器件的击穿电 压达30V。同时，确定了关键的工艺参数，并计算了器件的主要特性，为OLEDoS驱动电 路的实现打下了基础。 u 关键字：OLEDoS驱动电路，高压CMOS，0．8m，击穿电压，器件模拟。 Vol CMOSDevicefor Hightage DriverICofOLEDonSi1icon XiaohuiDuHuanHan Wang Zhengsheng (InstituteofMicroelectronicsofChinese ofSciences) Academy Abstract：Inthis CMOSdevices withinthe article，highvoltage working range l oflOVto18Vhavebeen beusedinOLED—on—Siicondriver designed，whichmay IC．Based m to ituteof on0．8u standardCMOS which IMECAS(Inst processbelongs MicroelectronicsofChinese of used TCADsoftware AcademySciences)，WeSynopsys of tosimulatetheNMOSandPMOS the LDD devices．Throughadjustinglength region andthe inthiS breakdown ofboth concentration voltages dopant region．the devieeshavereached30V．Atthesamet were ime，thekeyprocessparameters defined，andthecharacteristiCSofthesedeviceswerecalculated． Keywords：OLEDoS CM