基于CMOS工艺的横向多晶硅P+P-n+ 结红外微测辐射热计.pdfVIP

3期 陈二柱等：基于cM0s工艺的横向多晶硅p+p—n+结红外微测辐射热计 当广泛的应用MJ．为了研制低成本、高分辨率的非 g 制冷微测辐射热计焦平面，我们设计了基于标准 cMos工艺的横向多晶硅p+p—n+结微测辐射热计 研制方案，并成功地制造出多种结构微测辐射热计 单元器件． (a) 在非制冷微测辐射热计的设计中，热敏元与衬底 Sup 1ne 间的热绝缘结构是关键，而在微桥形式的热绝缘结构 中，热敏元支撑臂的热传导是主要的散热途径，所以 要尽量减小支撑臂的热导，以增大探测器的响应率； 但是支撑臂又是热敏元与读出电路问电学互联的通 (b) 道，所以支撑臂既要热导小又要导电性好，同时还要 图4 有一定的机械强度．对于整个热绝缘结构来说，还要 微桥结构示意图 7rheschematicsof stmctureafter(a) 同时考虑微桥的热容量、红外吸收率等问题． Fig．4 micmbridge COMS processand(b)TMAHetching 在综合考虑上述以因素后，并权衡多晶硅和金 属铝的电学与热学性能后，支撑臂选用低阻多晶硅 作为热敏元与读出电路间的连线．在CM0s工艺加 工中，利用高阻多晶硅和MOs管源、漏离子注入制 作横向多晶硅p+p—n+结，作为温度传感器；为了使 微测辐射热计有较高的响应率，用铝将多个多晶硅 p+p—n+结相串联，以增大其两端正向压降的温度 变化率．最外层用氮化硅钝化层覆盖，以提高热敏元 的红外吸收效率．在CMOs加工的最后一次光刻工 艺中，刻出腐蚀孔，为后序腐蚀露出了硅衬底．cMos 图5微测辐射热计的扫描电子显微照片 工艺加工完成后，得到图4(a)所示的结构单元，微 of neSEM themicmbolometer Fig．5 graph 桥形式的热敏元已经与周围的读出电路相分离．然 后采用与CMOS工艺相兼容的四甲基氢氧化铵 图5是最终得到的微测辐射热计扫描电子显微 (TMAH)各向异性腐蚀液，前端腐蚀硅衬底，将微桥 形式的热绝缘结构架空，从而得到图4(b)所示的测上多个相串联的横向多晶硅p+p—n+结，桥面和支 辐射热计，热敏元和支撑臂已完全架空．这样，在 撑臂几乎没有扭曲、变形，而且桥面比较平展，说明 cMOs工艺完成后，仅仅需要一次湿法腐蚀工艺，就应用CMOS工艺加工的多层薄膜，其应力可以得到 可以制成微测辐射热计． 较好的平衡． 3测试结果与分析 在室温下，我们对器件的黑体响应率、噪声电压 和响应信号电压值与调制频率的变化关系进行了测 工作，测量时器件的恒定偏值电流为1斗A，偏值电 流由三极管镜像电流源提供和控制．黑体响应