一种新型的BCD工艺栅驱动集成电路.pdfVIP

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2018-04-07 发布于北京
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一种新型的BCD工艺栅驱动集成电路.pdf

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第31卷第9期北京理工大学学报 V01．31No．9 201 of Instituteof 1 1年9月TransactionsBeijing Technology Sep．201 一种新型的BCD工艺栅驱动集成电路张为，陈曙光 (天津大学电子信息工程学院，天津300072) 摘 VBCD工艺要：分析了高压栅极驱动集成电路热耗散产生的原因和隔离技术的特点，研制出一种新型的700 栅驱动集成电路．通过减小LDMOS电流和开启时间降低芯片高速工作时的发热量，配合电路设计调整了BCD工艺，解决了高功耗和地线浮动等制约其发展和应用的难题．仿真和测试结果表明，该集成电路工作在1MHz，400V w．时，总功耗仅为0．4 关键词：功率集成电路；BCD工艺；栅驱动集成电路；横向双扩散MOS管中图分类号：TN492 文献标志码：A 文章编号：1001—0645(2011)09—1080—05 A DriverICBasedonBCD NovelGate Technology ZHANGWei，CHEN Shu—guang ofElectronicandInformation 300072，China) (School Engineering，TianjinUniversity，Tianjin thefeaturesofheat andisolation are Abstract：Byanalyzing dissipation technology，thatusually infabricationof novel driverICwith700VBCD drivers，a adopted high—voltagegate gate was currentandturn—ontimeofLDMOSwerereducedandthe technologydeveloped．The a issuessuchas ofBCD wereusted．Asresult，the processes technologyadj highpower and restrictedthe and ofsuch dissipationgroundfloating，that developmentapplicationintegrated circuits，couldbesolved．Simulationandtestresultsshowthatoursolution the greatlyimproves 0．4Wwhen ofthe driverandits