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第22卷第1期 传感技术学报 v01.22No.1
CHINESE OFSENSORSANDAUrUATORS
2009年1月 JOURNAL Jan.2009
CMOS
CompatibleTungstenMicro-Hotplate+
WANG Zhen-an。
Jia—qi,TANG
Electronic 116024,China)
(Departmentof Engineering,DalianUniversityofTechnology,DalianLiaoning
in islimitedbecausethethermal
Abstract:The thestandardCMOS prop—
polysiliconmicro-hotplate process
ofthe is stable.This aCMOS micro-hot—
erty polysiliconincreasingly paperreports compatibletungsten
tOform
thestandardCMOS hasbeen usedasa material
tungsten traditionallyplug
plate.In process,the
via betweenvariousmetal andthesiliconsubstrate.Inthe ofthe micro-
pathways layers design tungsten
isusedtoconnectoneofmetal tofabricatethe resistorastheheat—
hotplate,thetungsten layers tungsten
and measurementresistorofthe measurementresultsshowthatthe
ing temperature micro-hotplate.The
thethermal ofthe micro-
coefficientof isabout0.0015/℃and
temperature tungsten impedancetungsten
isabout ofthe canbe tOotherthermal-
hotplate 17℃/mW.Thedesign tungstenmicro-hotplateapplied
basedsensorsinthestandardCMoS
process.
words:CMOS resistor;tungstenmicro-hotplate
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