与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件研究.pdfVIP

高技术通讯2006年9月第16卷第9期 暗电流、寄生电容、响应度等方面的性能。实验结果 向。硅基光源问题仍是研究中的最大难点，如何提 表明，器件响应峰值波长为638nm，暗电流约为1．0高电光转换效率，研制适于进行单片集成的硅发光 ×10-13A，响应度为0．065A／W。该探测器的性能均器件是研究的重要目标。硅基光波导／调制器研究 优于双光电二极管探测器[19]。 取得了突破进展，在获得高调制速率、减小面积以及 与其它器件的集成技术方面有着很大研究空间。硅 基光电探测器／接收机的进展比较快，提高探测度和 响应速度是研究的重点。单片硅基光电子集成回路 的研究处于初始阶段，耦合技术、匹配技术、集成技 术等多方面难题有待解决。但是，随着信息技术的 飞速发展，与标准集成电路工艺兼容的硅基光电子 器件的研究必将对信息领域的发展起到推动作用， 从而实现全硅光互连和全硅光电子集成芯片，开创 图6Ms／RFa帕S工艺光电探测器剖面图 硅基光学信息时代。 4硅基光电子集成回路 参考文献 fmmasilicon [1]NewH姗R．Visiblelight p_n Revjew，1955．100：70啦703 硅基光电子集成回路是通过将光发射器、光波 L a1．Anemciemlow [2]SnynlaIlw，M．duPlessis，et v01tage， 导／调制器、光电探测器及驱动电路和接收机电路等 siliconCMOS devicea11delec— K曲frequency li曲ternitting 模块制作在同一衬底上而实现了单片集成。所有器 t阶叩ticaJ 件均采用标准集成电路工艺制备，或是仅仅对工艺 (12)：614—616 进行微小的修改，从而实现全光互连与超大规模集 w a1．Ane侬cient L，LoerlcoMA，Gwiui舢RM，et [3]Ng 成电路的单片集成，易于大规模生产。研究的难点 siliconb鸽ed diode．Ⅳ耐ure， IUom-temperature li曲ternitting 在于如何提高电光／光电转换效率，如何实现器件