半导体材料的测试技术.pptVIP

XRD测试结果实例1 自碳饱和硅熔体中生长β-SiC晶体 看出在2θ扫描范围内, 出现了分别与6H-SiC(101)、β-SiC(111)、6H-SiC(110)、β-SiC (220)和β-SiC(311) 五个最强的衍射晶面对应的衍射峰，表明所制备的β-SiC样品中含有6H-SiC的成分 仅出现β-SiC的三个衍射峰，进一步的分析表明对应于β-SiC(111)、 β-SiC (220)和β-SiC(311) 衍射晶面，表明样品为β-SiC多晶体 XRD测试结果实例2 X射线衍射仪基本构成 常用的高分辨率X射线双晶衍射设备，其主要组成部分包括： X光机，提供稳定的X光源； 测角仪，衍射仪的核心，起支撑作用，并使试样与探测器相关地转动，支持狭缝系统，限制X射线光路； 探测器，检测X射线的部件，主要有盖格计数管，正比计数管，闪烁探测器和Si（Li）探测器等； 记录器，放大探测器输出的电脉冲信号并传送给后继的分析系统； 电脑控制系统和数据处理系统，对整个测量过程进行机械化的精确控制，并对测试得到的数据进行记录、输出和模拟分析 X射线光电子谱(XPS)X-ray Photoelectron Spectroscopy 俄歇能谱仪（AES） Auger photoelectron spectroscopy X射线光电子能谱仪（XPS）/ 俄歇能谱仪（AES） 仪器型号：AXIS ULTRA 生产厂家：英国KRATOS ANALYTICAL Ltd. 基本原理 h? X射线光电子能谱 e Auger电子能谱 单色X射线光子的能量在1000～1500ev之间，不仅可使分子的价电子电离而且也可以把内层电子激发出来， 同一原子的内层电子结合能在不同分子中相差很小，不同能级上的电子,结合能不同，故它是特征的。光子入射到固体表面激发出光电子，产生由一系列峰组成的电子能谱图，每个峰对应于一个原子能级（s、p、d、f）；利用能量分析器对光电子进行分析的实验技术称为光电子能谱。 电子能谱分析仪示意图（多功能） 激发源 试样装置 电子能量分析器 检测器 计算机 XPS 简介 X射线光电子能谱是瑞典Uppsala大学K.Siegbahn及其同事经过近20年的潜心研究而建立的一种分析方法。他们发现了内层电子结合能的位移现象，解决了电子能量分析等技术问题，测定了元素周期表中各元素轨道结合能，并成功地应用于许多实际的化学体系。 X射线光电子谱是重要的表面分析技术之一。它不仅能探测表面的化学组成，而且可以确定各元素的化学状态，因此，在化学、材料科学及表面科学中得以广泛地应用。 K.Siegbahn给这种谱仪取名为化学分析电子能谱(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)，简称为“ESCA”，这一称谓仍在分析领域内广泛使用。 XPS 简介 基本原理：光电效应 基本组成：真空室、X射线源、电子能量分析器 辅助组成：离子枪 主要功能：成分分析、化学态分析 采谱方法：全谱、高分辨率谱 分析方法：定性分析、定量分析 X射线光电子发射的3步骤 X射线照射样品 入射光子和样品原子相互作用，光致电离产生光电子 光电子输运到表面，克服逸出功发射 理论基础－光电效应 根据Einstein的能量关系式有： h? = EB + EK 其中? 为光子的频率，EB 是内层电子的轨道结合能，EK 是入射光子所激发出的光电子的动能。 X射线光电子谱仪的能量校准 X射线光电子能谱分析的首要任务是谱仪的能量校准。一台工作正常的X射线光电子谱仪应是经过能量校准的。 X射线光电子谱仪的能量校准工作是经常性的，一般地说，每工作几个月或半年，要重新校准一次。 荷电效应 用XPS测定绝缘体或半导体时，由于光电子的连续发射而得不到足够的电子补充，使得样品表面出现电子“亏损”，这种现象称为“荷电效应”。 荷电效应将使样品出现一稳定的表面电势VS，它对光电子逃离有束缚作用。 荷电效应的来源主要是样品的导电性能差。 荷电电势的大小同样品的厚度、X射线源的工作参数等因素有关。 实际工作中必须采取有效的措施解决荷电效应所导致的能量偏差。 半导体材料的测试技术 半导体单晶材料性能的评价 晶体的结构完整性：晶向，晶格缺陷（位错密度） 组分分析：材料的化学成分，掺杂原子浓度及其分布，氧碳含量，重金属杂质等 导电性能：导电类型，电阻率，少子寿命等 光学性能：薄膜材料的折射率，吸收系数，光电导特性，发光特性等 工业生产中，一般检测的参数有：晶向，位错密度，氧碳含量，导电类型，电阻率，少子寿命等 1、 定向： 光学定向法； X光定向法 2、缺陷： 金相观察法（与半导体专业基础实验相同） 扫描电子显微镜（SEM） 透射电子显