硅基GaN外延层的调光电子能谱及二次离子质谱的研讨.pdfVIP

立鱼全旦且生皿鱼学术会议论文集 153 硅基GaN外延层的X光电子能谱及 二次离子质谱的研究’ 张昊翔 叶志镇 袁骏 赵炳辉 卢焕明汪雷 网端麟 浙‘江大学硅材料国家重点实验室 杭州 310027) 执要 本文报导了在硅基上用真空反应的方法制备出了GaN外延层。利用ESCALAB 季面分析仪和二次离子质谱删外延层的组成进行了表面分析(定量)和深度剖析(定性)， 李现外延层Ga和N组份分布均匀，并存在少量由衬底扩散过来的硅及蒸发出来的”i0,, 夫健词: GaN X光电子能谱 二次离子质谱 一、引盲 GaN是一种重要的直接带隙半导体，它具有禁带宽度大，热稳定性及化学稳定性好， 热导率高及电子极限漂移速度大等优点。因此在制备蓝紫光光电子器件如光发射二极管 [1]、激光二极管幻【，探测器件 3「1WD 有很好的应用前景，但是由于GaN在熔点时有极高的离解压，导致GaN大尺寸单晶体生长 极为困难，因此在异质衬底上GaN的外延生长就成为研究GaN材料和器件的主要手段。近年 来，用MOCVD.MBE技术在a-AlA衬底上已制备较好质量的GaN外延层，并已研制出GaN基 节寿存.叼呈.之臼.一 自台r巴飞1L翻断2江旦区r已1 一般常用于生长GaN的衬底材料为(AIA.但由于A-x0,1( :单晶的尺寸较小，且价格较 昂贵，为了制备大面积的GaN薄膜，硅片被认为是制备GaN的较为理想的衬底，因为它具 有许多优点，比如高质量的单晶，大尺寸，低价格等优点，但是硅衬底与GaN相比，也有 在以下问题，一具有较大的晶格失配 (17%)，二具有较大的热膨胀系数的失配 (37%)， f7}}4tjrtF-r且按王长GaN是比狡困难的。材料和器件技术的进步，使得人们对GaN又有 了新的认识，在探索新的GaN材料生长技术的同时，也探索在硅衬底上长GaN的工艺。 基于以上所述，本实验室根据自己实际情况，首次利用真空反应法成功地在Si衬底上 制备出了GaN外延层，对GaN外延层的组份进行定量和定性分析，发现外延层中除Ga、 N等主要元素外，还存在少量Si、O等杂质元素，有关的深入研究正在进行中。 二、实脸 我们用固态金属稼作Ga源，氨气和氮气作氮源，其纯度均为5N. 具体实验如下:硅 片采用传统的RCA清洗方法，清洗完毕后，立即放入生长室，开始抽真空，精心控制好各 项实验参数，使生长温度控制在900℃一1100℃之间，改变实验条件，生长速度可以在每 小时0.llam到2Eun之间变化。GaN外延层生长好之后用XRD、 TEM对其结晶学性质进 行侧试，证明生长的外延层晶体质量较好。 我们利用本实验室一台ESCALABMK一II表面分析仪对 GaN外延层表面进行分 国家教育部 “跨世纪优秀人才”基金资助 一生54 — 一一 — -— — 第六居全国困体薄膜学术会议论丈集 析，用上海复旦大学国家微分析中心的一台IMS一THREEF型二次离子质谱仪进行了GaN 外延层的深度剖析。下面结合GaN外延层的)CPS及SIMS测试结果进行讨论。 三、结果讨论 图1为一个典型样品8#(膜厚为400mn)的)CPS测试结果 (全谱)，从图谱中可以 看出，外延层表面在深度lOnm范围内存在有Ga,N、Si、O四种元素。，其中Ga, N为外延层的主要成分，在图1中其它处出现的峰均为俄歇峰。 图2是8#样品的二次离子质谱测量谱线。横向坐标是刻蚀时间，纵向坐标表示信号 强度。由于探头对不同离子的灵敏度不同，所以图上标的只是相对强度，只能反应各种元 素的纵向强度变化，不能确定各种元素的百分比。图谱中谱线刚开始属于仪器预热状态， 不能真实反映样品情况。从图中亦可以看出有存在有Ga,N,Si,O四种元素，其中， O和Si的曲线趋势基本一致，Ga和N的曲线趋势基本一致。在整个外延层中，Ga