硅刻蚀现场研究的表面拉曼光谱技术研究.pdfVIP

第 卷 ，第 期 光 谱 学 与 光 谱 分 析 ， ， ! # $% ’ ! (% ’ # ))*++ , *+- ! 年 . ! 月 /)0123%41%)5 678 /)01236 97654:4 ;010=03，! !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 硅刻蚀现场研究的表面拉曼光谱技术 刘峰名 任 斌 田中群 厦门大学化学系， 固体表面物理化学国家重点实验室，物理化学研究所，+#.- 厦门 摘 要 通过对拉曼谱仪和电极粗糙方法的优化，本文将表面拉曼光谱技术拓宽到了半导体硅电极表面的 现场研究。文中观测了不同粗糙时间对硅刻蚀的影响，并实时考察了硅氢表面在开路电位下的氧化过程。 实验结果表明，在以 ? 为主的湿法刻蚀中，硅表面的悬挂键主要被 而不是被 ? 取代。 主题词 显微拉曼光谱， 硅， 表面氧化 硅是应用最广泛、研究最系统和深入的半导体材料，人们 的能力和受水的干扰小的优势可 以避免红外和 /?C 的一些 一直对其进行着不懈的研究，以便从更深层次上认识硅的性 不足，但由于其灵敏度很低，至今尚未见系统的现场研究硅刻 质，进一步发掘其应用的潜力，从而得到性能更好的硅基微 蚀的报道。尽管这样，随着拉曼谱仪灵敏度的提高和实验方 （光）电子器件和微电机械系统。由于硅表面的键合形式（如 法的改进，固液界面的现场研究已经顺利地 由 /JI/ 效应较 ：， ： ， ：）明显影响甚至决定了硅的一系列物理和化学 强的 、 、 金属拓展到其它弱 效应 的过渡金属。 /: B /: /: ? 9K 9L ML /JI/ 性质以及随后对它的加工工艺。因此，对硅表面结构和刻蚀 本研究将建立现场研究半导体硅的拉曼光谱方法，并将举几 过程的正确表征以及有选择性地控制表面的键合形式成了认 个例子。 识硅和加工硅的关键。 . 实验部分 分子振动光谱是表征半导体表面键合物的最重要的工具 ［］ 之一，其中常用的有红外光谱、拉曼光谱和和频技术 （ ）。 拉曼光谱测量采用 型共焦显微拉曼谱仪 - 。 /?C N6=I6 H 红外光谱具有较高的灵敏度，已被广泛地用于半导体性质的 仪器采用 倍的长工作距离（ ）的物镜，所用狭缝的宽度 - * 研究，甚至已实现了现场的研究。红外光谱数据表明硅表面 和针孔的大小分别为 ! 和 * ，激发线波长为 #+! O * 7，