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第19卷第5期 传感技术学报 V01.19No.5 OFSENSORSANDACTUATORS 2006年10月 CHINESEJOURNAL 0ct.2006 Molecular Simulationofthe ProcessofSilicon Dynamics Stretching FUChen—xin。CHEN Yun—fei’ (SchoolofMechanical ChinaEducational 210096,China) Engineering,MEMSKeyLaboratoryof Ministry,SoutheastUniversity,NanJing have tosimulatethe of Abstract:Molecular been dynamics(MD)simulationsperformed stretchingprocess to Of Siliconnano-rodswiththeuseof describetheinteractionsatomsinsilicon Stillinger-Weberpotential nano-rods.Theresultsshowthatthetension ofsiliconnano-rodsaresimilartothatofmacro— properties brittlematerial:therearenolinearelastic andductile influenceofsize scopic stages yieldstages;The effectsis modulusandtensile forsiliconnano—rodsfoundincreasewith observed:The strength Young’S thesectionarea sizeeffectsis feeblewiththeincreaseofsectionareasi— sizes,respectively,thebecoming zes. effects words:silicon Modulus;size Key nano—rod;moleculardynamics(MD);Young’S EEACC:7320G 硅纳米杆拉伸的分子动力学模拟 付称心,陈云飞。 (东南大学机械工程学院MEMS教育部重点实验室,南京210096) 摘 轴向拉伸研究,发现硅纳米杆拉伸时表现出来的特性与宏观脆性材料基本一致:拉伸曲线没有明显的直线部分和屈服变形部 分;进一步研究发现硅纳米杆的杨氏模量和强度极限随着尺寸增大而增大,尺寸效应随尺寸增大而逐渐减弱. 关键词:硅纳米杆;分子动力学;杨氏模量;尺寸效应 中图分类号:0346.3 文献标识

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