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电子一二章讲稿 第一章 半导体器件 一、教学内容 半导体基本知识；半导体二极管；稳压管；半导体三极管；场效应晶体管。 二、教学要求 1、理解半导体基本知识； 2、掌握半导体二极管基本结构、工作原理、主要特性和参数； 3、稳压管的基本结构及工作原理； 4、掌握半导体三极管基本结构、工作原理、主要特性和参数； 5、理解场效应晶体管的基本结构及工作原理。 三、重点 半导体二极管单向导电性；三极管处于不同工作状态时，应满足的条件、特征。 四、教学时间 4学时 五、教学方法 讲授 六、教学手段 主要采用多媒体教学，辅以少量的传统板书。 《电子技术》 59 1 §1.1 半导体基本知识 一、本征半导体 所谓半导体，顾名思义，就是它的导电能力介乎导体和绝缘体之间。用得最多的半导体是锗和硅，都是四价元素。 将锗或硅材料提纯后形成的完全纯净、具有晶体结构的半导体就是本征半导体。 半导体的导电能力在不同条件下有很大差别。一般来说，本征半导体相邻原子间存在稳固的共价键，导电能力并不强。但有些半导体在温度增高、受光照等条件下，导电能力会大大增强。 半导体的这种与导体和绝缘体截然不同的导电特性是由它的内部结构和导电机理决定的。在半导体共价键结构中，价电子（原子的最外层电子）不像在绝缘体（8价元素）中那样被束缚得很紧，在获得一定能量（温度增高、受光照等）后，即可摆脱原子核的束缚（电子受到激发），成为自由电子，同时共价键中留下的空位称为空穴。本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现，成为电子空穴对。产生电子空穴对的过程称为激发。 电子带负电，空穴带正电，统称载流子。 在外电场的作用下，半导体中将出现两部分电流：一是自由电子作定向运动形成的电子电流，一是仍被原子核束缚的价电子（不是自由电子）递补空穴形成的空穴电流。这是半导体和金属在导电机理上的本质区别。 影响半导体导电能力的因素：加热、光照、掺杂。 二、P型半导体和N型半导体 相对而言，本征半导体中载流子数目极少，导电能力仍然很低。但如果在其中掺入微量的杂质，所形成的杂质半导体的导电性能将大大增强。由于掺入的杂质不同，杂质半导体可以分为N型和P型两大类。 《电子技术》 2 59 1、P型半导体 P型半导体中掺入的杂质为硼或其他三价元素，硼原子在取代原晶体结构中的原子并构成共价键时，将因缺少一个价电子而形成一个空位(电中性)，当硅原子外层电子由于热运动填补此空位时,杂质原子成为不可移动的负离子,同时,在硅原子的共价键中产生一个空穴,于是半导体中的空穴数目大量增加，空穴成为多数载流子，而自由电子则成为少数载流子。如图所示。 2、N型半导体 N型半导体中掺入的杂质为磷或其他五价元素，磷原子在取代原晶体结构中的原子并构成共价键时，多余的第五个价电子很容易摆脱磷原子核的束缚而成为自由电子，于是半导体中的自由电子数目大量增加，自由电子成为多数载流子，空穴则成为少数载流子。如图所示。 注意：不论是N型半导体还是P型半导体，虽然都有一种载流子占多数，但整个晶体仍然是不带电的。 《电子技术》 3 59 三、PN结及其单向导电性 1、PN结的形成 P型和N型半导体并不能直接用来制造半导体器件。通常是在N型（或P型）半导体的局部再掺入浓度较大的三价（或五价）杂质，使其变为P型（或N型）半导体，在P型和N型半导体的交界面就会形成PN结，而PN结就是构成各种半导体器件的基础。 其中，图a所示的是一块晶片，两边分别形成P型 和N型半导体。为便于理解，图中P区仅画出空穴（多数载流子）和得到一个电子的三价杂质负离子，N区仅画出自由电子（多数载流子）和失去一个电子的五价杂质正离子。根据扩散原理，空穴要从浓度高的P区向N区扩散，自由电子要从浓度高的N区向P区扩散，并在交界面发生复合(耗尽），形成载流子极少的正负空间电荷区（如图b所示），也就是PN结，又叫耗尽层。 正负空间电荷在交界面两侧形成一个由N区指向P区的电场，称为内电场，它对多数载流子的扩散运动起阻挡作用，所以空间电荷区又称为阻挡层。同时，内电场对少数载流子（P区的自由电子和N区的空穴）则可推动它们越过空间电荷区，这种少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为漂移运动。 《电子技术》 4 59 扩散和漂移是相互联系，又是相互矛盾的