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* * * 模拟电子技术基础 西安工程大学 模拟电子技术基础 西安工程大学 模拟电子技术基础 西安工程大学 模拟电子技术基础 西安工程大学 模拟电子技术基础 西安工程大学 模拟电子技术基础 西安工程大学 模拟电子技术基础 西安工程大学 模拟电子技术基础 西安工程大学 模拟电子技术基础 西安工程大学 模拟电子技术基础 西安工程大学 模拟电子技术基础 西安工程大学 模拟电子技术基础 西安工程大学 5.2 MOSFET放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析 放到5.3节里讲 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.4 FET放大电路的小信号模型分析法 5.3.3 FET的直流偏置电路及静态分析 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头 方向表示什么？ 结构示意图 N沟道JFET结构剖面图 2. 工作原理（以N沟道JFET为例） ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时？(设vDS =0) 当两侧耗尽层在中间合拢,沟道全部被夹断,漏源间电阻趋于无穷大时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏增大 耗尽层加厚 沟道变窄 ? ? vGS减小(即负向增大) ? ? 电阻增大 ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS? ? iD ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时，两侧耗尽层在A点相遇,沟道出现预夹断。 此时vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻(主要指夹断区等效电阻)? ? iD基本不变 ? (沟道电阻远小于夹断区电阻,且基本不变.那么vDS?,导致的是夹断区所加电压?,而沟道电压因电阻不变而不变,所以iD基本不变) 2. 工作原理（以N沟道JFET为例） ③ vGS和vDS同时作用时 若在vDS作用的同时,栅源间接vGS电压(VP vGS0) ,由于栅源电压越负,耗尽层越宽,沟道电阻越大,相应的iD就越小.所以对于同样的vDS , iD 的值比vGS=0时的值要小.它体现了栅源电压vGS控制漏极电流iD的作用.属于电压控制电流器件. 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP 由于VP 一定,输出特性上预夹断点随vGS改变而变化, vGS越负,到达预夹断对应的vDS就越小,夹断点向纵坐标靠拢. 2. 工作原理（以N沟道JFET为例） 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 FET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 # 为什么FET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。MOSFET？ 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 2. 转移特性 1. 输出特性 3. 主要参数 与MOSFET类似 5.3.3 FET的直流偏置电路及静态分析 1. 直流偏置电路（N沟道） 自偏压共源极放大电路 分压式自偏压共源极放大电路 作为电压控制器件的FET在组成放大电路时,应设置偏压,以保证电路有合适的工作点. 1. 直流偏置电路 （1）自偏压共源极放大电路 该电路适用于JFET和耗尽型FET,而对增强型FET不适用. ? （2）分压式自偏压共源极放大电路 该电路适用于JFET、耗尽型FET和 增强型FET. ? 2. 静态工作点的确定 可以采用图解法或计算法 假设工作在饱和区，即 针对增强型 针对耗尽型 计算法: （1）自偏压共源极放大电路(以下均以耗尽型管为例) （2）分压式自偏压共源极放大电路 求解过程中iD有两个解,应取iD IDSS的那个解. IDQ不应大于IDSS , 所以IDQ=0.31mA ,VGSQ=-0.22V 解：设管子工作在饱和区 例： 设Rg1=2M?, Rg2=47k?, Rg3=10M? ， IDSS=0.5mA, 试用计算法确定电路的静态值 IDQ、VGSQ 、VDSQ。 Rd=15k?, R=2k?, VDD=18V, VP=-1V， 对上两式联立求解得: 于是: 2.静态工作点的确定 图解法: 例: 一自偏压共源放大电路,其参数为 Rg=10M?, Rd=2k?, R=1.