空间矢量控制的大容量IGBTPWM变频调速装置研讨.pdfVIP

空间矢量控制的大容量 !GBTPWM变频调速装置研究 西安电力电子技术研究所 朱典旭 张锦生 赵雅莉 张长安 (西安 710061) 摘要:本文介绍了采用 16位单片机 80C196MC实现的电压空间矢量控制技术完成 的大容量 IGBTPWM变频调速装置，分析了具有软关断特性的驱动技术、无电阻损耗的 吸收技术等高可靠性、多功能的实用电路的工作原理。完成的 100kVAIGBTPWM变频 调速装置已投入工业运行，运行结果表明该装置具有良好的品质和推广应用价值。 关键词:IGBTPWM 变频调速 电压空间矢量 软关断驱动 1.引 言 由于绝缘栅双极晶体管(IGBT)把MOs技术引入功率半导体器件，带来了应用上的一 系列优点，如开关速度快、饱和导通压降低、驱动功率小等。随着电力电子技术的发 展，IGBT模块制造技术和应用技术的不断进步，IGBT在 I-lOkHz功率高达1MW的低频 应用领域正取代以前使用的双极型晶体管模块，同时IGBT将工作在20kHz硬开关以及 频率更高的软开关应用中。本文详细地介绍了适用于大容量 IGBTPWM变频调速装置， 具有完善的软关断特性保护功能的驱动技术、无电阻损耗的吸收技术、保护技术以及 16 位单片机BOC196MC实现的电压空间矢量控制技术，最后给出了研制成功的100kVAIGBT PWM变频调速装置的试验波形.试脸结果表明:完成的大容量 IGBTPWM变频调速装置 的性能指标优良、运行稳定、可靠。 2.IGBT模块的姗极驱动 IGBT作为一种功率开关器件，在工程应用中器件的电气特性和可靠性直接受栅级 驱动电路的影响，如器件对关断偏置的要求、栅极电荷的要求、可靠性要求以及电源 的要求等。因此设计和选用性能优良的栅级驱动电路是大容量 IGBTPWM变频调速装置 能否安全、稳定、可靠运行的关键所在。 2.1IGBT栅级驱动电压及驱动电流 由于 IGBT具有MOs栅极，因而 IGBT的栅级一发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱 动技术进行开通;但IGBT的输入电容较MOSFE丁的大，故IGBT的关断偏压应该比许多 MOSFET驱动电路提供的偏压更强。 为了使 IGBT完全饱和导通，并使通态损耗减至最小，同时也限制短路电流和它所 带来的功率应力，通常使用 15V士10%的正栅极电压。在任何情况下，开通时的栅极驱 动电压，不应超出12V至20V的范围。 当栅极电压为零时，工GBT处于断态。但是，为了保证 IGBT在集电极一发射极电压 上出现dv/dt噪声时仍保持关断，必须在栅极上施加一个关断偏压，采用反向偏压还 减少了关断损耗。一般情况下，反向偏压应在一5v至一15V范围之内。 考虑到变频调速系统中实际线路对器件驱动特性的影响，本文介绍的驱动电路中， 取+VGE+15V，-VGE-10V- 虽然IGBT属于压控器件，栅极驱动功率较小，但IGBT开通时，驱动电路必须提供 足够的峰值电流，电源提供的最小峰值电流IGP，为: 一 120- 。 二‘士oVaz/Ra (I) 式中:aVoa=voaco.,+}VOita[ R.=.极串联电班 2.2IGBT.极串联电阻 IGBT的开通和关断是通过.极电路的充放电来实现的，因此，.极串联电阻值的大小将 对IGBT的动态特性产生极大的影响。橄位较小的串联电妞使祖极电容的充放电较侠，从而减 小开关时间和开关损耗。图1分别示出IGBT棋块翻造厂商提供的姗极电阻与开关损耗、开关 时间的典型关系。当IGBT关断鹅问，旅加于IGBT及其集电极一极电容上的dvidt可导致有电 彼流过.极电路，如果此电流足够大，.极申联电阻较大，此时在.极电阻向特产生导致 IGBT误导通的.极电压;面较小的.极电困可通免dvidt带来的误导通，但所能承受的衡极 嗓声较小，容易导致.极一发射极电容同.极布动导线的寄生电舀产生振荡。此外，较小的 祖极电且还将使IGBT开通时的diidt变大，从面导致较高的dvidt，增加了FWD恢复时的浪涌 电压。 ，， 花之 注 RSRRR口.工. 互RlRaRRRRRIR升乍