低功耗、高电源抑制比基准电压源的设计精选.pdfVIP

第28卷第6期 半 导 体 学 报 V01．28No．6 ． 2007年6月 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS June。2007 低功耗、高电源抑制比基准电压源的设计* 应建华’ 陈 嘉 王 洁 (华中科技大学电子科学与技术系，武汉430074) 摘要：提出一种新颖的自偏置有源负载放大器，设计构成了低功耗、高电源抑制比的基准电压源，并对基准电压源 的低频电源抑制比和自偏置有源负载放大器的开环增益进行了分析．此基准电压源已用于一款电源管理芯片中， 40ppm／℃，低频电源抑制比为85dB． 关键词：基准电压源}低功耗，电源抑制比；自偏置有源负载放大器 EEACC：1205；1290 中图分类号：TN43 文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2007)06．0975．05 1 引言 的双极型晶体管；放大器A形成负反馈从而稳定基 准电压源的工作状态；R：是可修调电阻，尺。用于补 带隙基准源由于其低温度系数的特性，被广泛 应用于各种模拟和混合信号电路系统中，例如电源 和R 管理芯片中集成一个片内电压基准源是不可缺少 的．为了延长便携式电子产品中锂电池的使用时间， 和Rs分别位于两条电流支路上，作用是使T1和 对产品待机功耗的要求越来越高．电源管理芯片作 T2的y@电压相等，从而消除厄利电压“对 为便携式电子产品的供电核心，对其自身待机功耗 PTAT电流的影响． 的要求也越来越苛刻．当产品处于待机时，一些电源 管理芯片的片内电压基准源仍然要正常工作，例如 LDO，PFM型DC／DC转换器，锂电池充电管理芯 片等，因此为了降低产品待机功耗，就要减少片内电 压基准源的工作电流；同时产品工作的电源电压范 围较宽．设计低功耗、高电源抑制比的电压基准源就 是对模拟设计师的一项挑战． 本文提出一种新颖的自偏置有源负载放大器， 实现了低功耗、高电源抑制比的电压基准源，此结构 与其他实现高电源抑制比的方法[1’2]相比，在获得 高电源抑制比的同时减少了电压基准源的电流支 路，因此可以做到更低的功耗．此电压基准源已经应 用于一款电源管理芯片中，并在德国XFAB公司 XB06工艺上流片实现． 2典型的基准电压源电路 利用双极型晶体管y强电压的负温度系数和不 图1典型的基准电压源电路原理图 同电流密度偏置下两个双极晶体管电压差△y脑产 Basic reference Fig．1 bandgap 生的正温度系数特性，可以获得低温度系数基准电 *湖北省信息产业专项资金资助项目(批准号：05060) t通信作者．Email：jhying(鱼hust．edu．cn 2006·11-21收到，2006-12-18定稿 @2007中国电子学会 万方数据 976 半导体学报 第28卷 R4 a