LED横截面结构示意图.pptVIP

四、光电检测器件和放大电路的连接 (2)电压放大型 弱光短路电流检测—光电池 LED发光原理 IV: Photo-detector III-V II-VI: LED/LD Photo-detector LED橫截面結構示意圖 人眼對光之敏感度頻譜 InxGa1-xN LED的發光範圍 Nichia公司在1997年發表的InGaN半導體雷射 白光LED三种发光原理 InGaN LED的結構 可見光區的光電半導體材料 2.光电池用作检测元件 用场效应管作为前级放大器的阻抗变换器 逻辑辨向电路 金属光电材料 半导体光电材料 光敏二极管的工作原理 4．扩散型PIN硅光敏二极管 PIN光敏二极管的工作原理 OLED工作原理 例题1 例题2 热释电探测器的工作原理 LED发光原理 * 各种类型集成放大器广泛应用于光电检测。 1.以光电极管为例，介绍三种与IC放大电路的典型连接方法。 (1)电流放大型（电流从二极管负流正） 运算放大器两输入端间 的输入阻抗是光电二极 管的负载电阻。 当A＝104，Rf＝100k?时，则Zin＝l0?，可认为光电二极管处于短路状态，能取出短路电流。 R为运算放大器平衡电阻。 要求：运算放大器的漏电流比光电流小得多，具有很高的输入阻抗。 当负载电阻RL取1M?以上时，工作在光电池状态下的光电二极管处于接近开路状态，可以得到与开路电压成比例的输出信号，即 即取出信号与输入光通量成正比(教材公式有错）。 电流放大器因输入阻抗低而响应速度较高，并且放大器噪声较低，所以信噪比提高。这些优点使其广泛应用于弱光信号的检测中。 工作原理：当PN结加上正向电压时，结区势垒降低，P区和N区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率比空穴大得多，所以出现大量电子向P区扩散，这些电子与P区价带上的空穴复合发光。即电注入载流子扩散复合发光。 制作发光二极管的材料： 直接跃迁材料：GaAs、GaN和ZnSe； 间接跃迁材料：GaP，GaAs，宽禁带 I II IIb III IV V VI 3Li 4Be ? 5B 6C 7N 8O 11Na 12Mg ? 13Al 14Si 15P 16S 19K 20Ca 30Zn 31Ga 32Ge 33As 34Se 37Rb 38Sr 48Cd 49In 50Sn 51Sb 52Te 55Cs 56Ba 80Hg 81Tl 82Pb 83Bi 84Po 半导体光电材料 p, n - cladding 的主要功能為侷限載子(電子與電洞) DBR 的功能在於反射往下行進的光線 Window layer的能帶間隙必須比活性區的能帶間隙高，以避免吸光 GaAs substrate 1 DBR Active 2 3 4 GaP Window p n i Human eyes are sensitive to green light (~555 nm), and hence the development of green (or yellowish green) AlGaInP LED is desirable. Eg ? x · Eg,InN + (1-x) · Eg,GaN – b · x · (1-x) b ? Bowing Parameter Eg,InN = 0.77 eV, Eg,GaN = 3.42 eV, b = 1.43 eV Reference: Wu et al., Appl. Phys. Lett. 80, 4741, 2002. III-N is very efficient between 250 nm and 570 nm. ELOG Substrate (Epitaxially Laterally Overgrown GaN Substrate) GaN芯片LED+YAG： 波长的蓝光LED涂上一层YAG荧光物质，利用InGaN蓝光LED (460nm)照射此YAG荧光粉产生555nm黄光，再利用透镜原理将黄光与蓝光混合，得出白光。 目前白光LED技术仍以日亚化学领先，拥有众多专利权。 日本住友电工亦开发出以ZnSe（锌，硒）为材料的白光LED，不过发光效率较差。 p-Electrode n-Electrode p-GaN p-AlxGa1-xN InyGa1-yN n-AlzGa1-zN n-GaN GaN Buffer Layer Sapphire Substrate 正負電極都在基板的上方!! Dominant Wavelength , ?D ( nm ) 300 400 500 600 700 AlGaAs (AlxGa1-x)0.5In0.5P