差分放大器中的不匹配效应及消除方法.pdfVIP

《现代电子技术}2009年第 16期总第 303期 集成电路司 差分放大器中的不匹配效应及消除方法 朱小瑜 。，李 津。 (1．西安工程大学 陕西 西安 710048；2．河南工程学院 河南 郑州 450007) 摘 要：叙述模拟集成电路设计中关于MOS管不匹配特性的一些基本概念，以及随着加工尺寸的不断减小，MOS管所 引起的一系列短沟道效应 ，进而描述整个 M0S管模 型的发展历史 ，以此说 明一个精确模 型对模拟 电路设计 的重要意义。然 后进一步阐述 因MOS管失配而引起 电路性能变差，尤其是对整个 D／A转换器性能的影响；进而采用改进技术 ，并对其进行 了进一步验证 。针对放大器 引起的失调 ，介绍通过版 图设计消除失配的原理，并且运用 电路设计方法进行消除，采用TsMC 0．25 m标准 CMOS工艺参数对其进行仿真验证 。针对D／A 的电流源失配引起 的电路性能变差，采用 了电流源 自校准技 术 ，并对这种方法进行 了仿真验证 ，取得 了不错的成果 。 关键词 ：不 匹配；模 型 ；MOS放大器 ；工艺参数 中囤分类号 ：TN710 文献标识码 ：B 文章编号 ：1004—373X(2009)16—025～03 M ethod toEliminateM ismatchofDifferentialAmplifier ZHU Xiaoyu 。IAJin。 (1．XianPolytechnicUniversity，Xian．710048，China；2．HenanInstituteofTechnology，Zhengzhou，450007，China) Abstract：Random devicemismatchplaysanimportantroleinthedesignofanalogcircuits．Devicemismatchisresulted from random errorofintegratedcircuitsprocess．SoaprecisemodelofMOStransistorisveryimportantintheanalysisofana— togcircuitdesign．So meconceptsofMOStransistormismatchcharacterization in theanalog designaredescribed．W ith the scalingdownofdevicessizes，aseriesshortchanneleffectsappear．Inordertoshow theimportanceofaprecisemodel，the wholehistoryofMOSmode1iSalsodescribed．Alsothesituationthatthecircuitbecomesworseduetothemismatchcharacter- ization，whichevenaffectsthewholeD／Aconverter．Totacklethisproblem，animprovedtechniquewhichhasbeenverifiedis adopted．Inordertosolvethemismatchofamplifier，arefinedlayoutprincipleisproposed，andanimproveddesigntechnique hasbeenused．ThecircuitsimulationiSbasedonthemodelof0．25／Lm CMOSprocess．Self—calibrationcurrentsourceisused tOtacklethemismatchinthecurrentsourcesmoduleinD／A．Thesimulationresultshowsthejustifieationofthisrefinement． Keywords：mismatch；model；MOSamplifier；tec