CIS薄膜的电沉积法制备分析及其结构性能.pdfVIP

中文摘要 中文摘要 能源和环境是人类社会必须面对的两大基本问题。对化石燃料的过度依赖已 经严重破坏环境而影响到整个人类的可持续发展，寻找可再生、廉价、清洁能源 已成为当前人类面临的迫切课题。其中太阳能是一种最具潜力的清洁、安全、环 保的可再生能源，如果能把太阳能转化为电能将使人类彻底解决能源问题。太阳 能电池正是实现这个目标的最重要的手段，因此太阳能电池的研究受到人们的高 度关注。在人们所研究的太阳能电池序列中，CIS 系(CuInS2 、CuInSe2 、 Cu(InGa)Se 、CnIn(S Se ) 、Cn(InGa)(S Se ) )等是直接带隙半导体材料，光吸 2 x 1-x 2 x 1-x 2 5 ，是目前已知的光吸收性能最好的半导体薄膜材料，具有光电转 收系数高达 10 换效率高，性能稳定等诸多优点。因此光伏研究者公认 CIS 系薄膜太阳能电池是 最具大规模应用前景的太阳能电池之一。但三十多年来人们的不断努力，并没有 带来 CIS