Co基软磁薄膜的高频性质研究.pdfVIP

摘要 近年来，随着电子元器件向小型化、高频化、集成化方向发展，对作为电子器件基 础的材料提出了更高的要求。为了适应磁性器件的需要，具有高磁导率并至GHz共振 频率的软磁薄膜成为磁性材料研究领域的最新热点。由于磁性薄膜在存储材料，读写磁 头方面的应用，它们的磁各向异性场和动态响应越来越引起人们的关注。为了提高数据 的存储速率，反磁化过程被最大程度的控制，这种技术的要求导致了一些基础磁性的研 究，例如各向异性场，饱和磁化强度，甚至有效阻尼因子。 我们在室温条件下利用射频磁控溅射方法制备了Co．Zr薄膜。发现利用斜溅射的方 法在Co薄膜中掺入微量的Zr元素导致更加良好的软磁性能和高频响应，矫顽力小至l Oe，共振频率达到4．3GHz。我们利用自由各向异性模型定性解释了这种优化主要来源 于Co颗粒之间的交换耦合的增大。因此，单个颗粒的磁晶各向异性场被抑制。并且， 对于利用斜溅射制各的样品来说，斜溅射诱导的各向异性场对样品的静、动态磁性起决 定性因素。也就是说，可以通过调控溅射角度来在位控制静动态磁性。 我们也利用斜溅射的方法制备了Co-Nb．Nd软磁薄膜。阻尼因子是决定动态响应和 磁谱虚部共振峰半高宽的主要因素，其随着Nd含量的增加明显增加。拟合磁谱得到 量级。