Cr(Co)掺杂Ge(Si)基稀磁半导体的制备与磁性分析研究.pdfVIP

摘 要 稀释磁性半导体材料将电子的电荷属性和自旋属性集于同一基体，使之同时具有半 导体材料的电荷输运特征和磁性材料的信息存储特征，成为自旋电子装置的最佳候选材 料。由于传统的半导体工业是以半导体材料Si 为基础，基于Ge/Si 基稀磁半导体材料易 与当前的半导体工业相兼容，因此引起了众多研究者的广泛关注。 目前，Ge/Si 基稀磁半导体材料已成为国内外研究的热门课题。尽管在理论和实验 上已经取得了一些较好的结果，但是在这类材料中仍存在一些问题（磁性的起源问题， 居里温度低于室温等），有待于进一步解决。针对这些问题，本文采用射频、直流交替 磁控溅射技术在n 型Si(100)衬底上制备了Cr(Co)掺杂的Ge(Si)基稀磁半导体薄膜，结合 样品的结构、电学性质及磁学性质，对样品铁磁性的起源进行了初步探讨。 1、Cr 掺杂的Ge、Si 薄膜样品：XRD 结果显示所制备的样品均表现为Ge、Si 的衍 射峰，未发现其他第二相；电学性质表明Cr 离子在Ge 母体中处于浅受主状态，不仅提 供了局域化自旋，同时也是受主中心，提供空穴载流子；XPS 测量结果显示 Cr 离子在 Si 母体中大部分处于为+2 价，含有少量的Cr3+；利用XAFS 谱检测，样品中Cr 离子在 Ge