TiO-2和ZnO基稀磁半导体的制备与性质研究.pdfVIP

摘 要 近年柬，基于对电子自旋态的产生、输运、控制等的研究，由此而导致了一门新的 学科——自旋电子学的诞生。由于自旋电子器件能同时利用电子的电荷属性和自旋属 semiconductors。 性，它有可能成为电子科学与技术的新革命。稀磁半导体(Dilutedmagnetic DMSs)作为自旋电子学的重要基础，目前引起了科学界广泛的关注。 稀磁半导体是目前国际上研究的热门课题，研究最为广泛的当属过渡金属掺杂的氧 化物(Ti02、ZnO等)所制成的半导体。尽管理论和实验上已经取得了许多成果，但是 仍然存在一些问题：例如磁性起源仍存在很大争议，实验结果多样，甚至互相矛盾：居里 温度低于室温等。为了弄清这些问题，本文主要研究了Ti02基和ZnO基稀磁半导体。 主要研究内容如下： 第一章介绍了稀磁半导体的研究概况和应用前景，简要概述了稀磁半导体ZnO和 Ti02半导体的晶体结构、能隙等基本性质，最后提出了本文的立论依据，指出了本文 的研究意义。 第二章简要介绍了样品的制备工艺和表征方法。 第三章采用溶胶．凝胶方法制备了过渡金属Mn掺杂的Ti02基