WO,x气敏薄膜和ZnOMetalZnO金属介质多层膜的正电子分析研究.pdfVIP

摘要 摘要 本文使用正电子湮没技术，对WOx气敏材料和ZnO／Metal／ZnO金属介质多 层膜做了系统地研究，分析了样品的实验数据，并得到一些有意义的物理结论。 在完成实验分析的同时，作者还对ZnO／Metal／ZnO金属介质多层膜做了理论设 计，以获得400至700纳米可见光波段内的高透过率的膜系。 1．WO。气敏材料的正电子研究 利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)，通过逐步改变热钨丝的温度，制备了 一系列WOx纳米结构薄膜的样品。样品的形貌和沉积率由扫描电子显微镜观察， 发现WOx纳米结构的形貌和热丝的温度(TO及热丝与抛光Si(100)基底间的距离 (df)有着极大的关联。X射线衍射法和拉曼光谱法用来研究Tf对于样品结晶状态 的影响。而样品化学计量比和缺陷类型的变化规律则通过X射线光电子谱及慢 正电子束注入谱(SPIS)来揭示。当Tf逐步升高到1750℃时，形成了氧化钨纳 米结构。我们发现Tf存在一个拐点，在此拐点上样品的结晶度和化学计量比的 状态都达到最佳值。当Tf继续上升到2100℃或df减小时，薄膜的结晶度变差， 相应地，标准化学计量比的W03的比例减小并出现大量的空位团。为了使样品 的化学状态从亚