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光纤系统中的光电检测器 主要内容 光电检测器的特性参数 光电检测器的基本工作原理 PIN光电检测器 雪崩光电检测器APD 光电检测器的特性参数 量子效率 响应度 光谱响应 频率响应和响应时间 噪声等效功率 探测度 光电检测器的工作原理 光电子发射效率 光电导效应 光生伏特效应 光电磁效应 光电检测器的工作原理 光电二极管检测器是外加反向偏压的PN结，当入射光作用时，发生受激吸收产生 光生电子-空穴对，这些电子-空穴对在耗尽层内建电场作用下形成漂移电流，同时在耗尽层两侧部分电子-空穴对由于扩散运动进入耗尽层，在电场作用下形成扩散电流，这两部分电流之和为光生电流。 当入射光变化时，光生电流随之作线性变化，从而把光信号转换成电信号。 光电二极管的工作原理 光敏二极管的分类 按材料 硅光敏二极管 锗光敏二极管 化合物光敏二极管 按结特性： PN结（扩散层、耗尽层）、PIN结 、异质结、肖特基结 几种常见的光敏二极管 肖特基结光敏二极管： 光敏面小，势垒电容小，响应快，但工艺困难。 扩散层PN结光敏二极管： 耗尽层厚度小于结的任一边的扩散长度，工作区是结两边的扩散区，光电流主要由扩散流引起。 耗尽层型PN结光敏二极管： 耗尽层厚度大于结的任一边的扩散长度，光电转换主要在耗尽层内，光电流主要由漂移电流引起的。有很高的频率响应。 PIN光电检测器 PIN光电检测器的工作原理和结构 PIN光电检测器的主要特性 PIN光电检测器的一般性能 PIN光电检测器的工作原理 PIN是为提高光电转换效率而在PN结内部设置一层掺杂浓度很低的本征半导体（I层）以扩大耗尽层宽度的光电二极管。 PIN型（2DUL型）光电二极管在P、N型之间加进了较厚的本征半导体I型层， 内电场基本上集中于I层上， PN结间距拉大，结电容变小；提高响应速度； PIN管结构示意图 由于耗尽层变宽，从而展宽了光电转换的有效工作范围； 增加了吸收层厚度，改善了对长波光的吸收，提高了灵敏度，增大了长波响应率。 PIN的工作原理示意图 PIN光电检测器的结构 PIN光电检测器的主要特性 量子效率 光谱特性 （波长响应范围） 响应时间 频率特性 噪声特性 噪声特性 噪声直接影响光接收机的灵敏度。光电二极管噪声包括信号电流和暗电流产生的散粒噪声和有负载电阻和后继放大器输入阻抗产生的热噪声。通常噪声用均方噪声电流描述。 响应时间——光生电流脉冲前沿由最大幅度的10%上升到90％，或由后沿的90%下降到10%的时间定义为脉冲上升时间和脉冲下降时间。 频率特性 [结论]：减小耗尽层宽度可以减小渡越时间，从而提高截止频率，但会降低量子效率。 PIN光电检测器的一般性能 雪崩光电检测器APD APD是具有内部倍增放大作用的光电二极管，利用PN结势垒区的高反向电压下强电场作用产生载流子的雪崩倍增而得到。 APD的工作原理 APD的结构 APD的主要特性 APD的一般性能 APD的工作原理 APD是通过在其结构中构造一个强电场区，当光入射到PN结后，光子被吸收产生电子-空穴对，这些电子-空穴对运动进入强电场区后获得能量做高速运动，与原子晶格产生碰撞电离出新的电子-空穴对，该过程反复多次后使载流子雪崩式倍增。 APD的结构 APD的倍增因子 倍增因子g ——定义为APD输出光电流Io和一次光生电流IP的比值。 APD光电检测器的一般性能 光电三极管 在基极与集电极之间接有光电二极管的晶体三极管 工作过程： （1）光电转换 （2）电流放大 六、光电器件的应用选择 １．光电检测器件必须和辐射信号源及光学系统在光谱特性上匹配； ２．光电器件的光电转换特性必须和入射辐射能量相匹配； ３．光电检测器件必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配，以保证得到没有频率失真的输出波形和良好的时间响应； ４．光电检测器件必须和输入电路在电特性上良好匹配，以保证有足够大的转换系数、线性范围、信噪比及快速的动态响应等； ５．为了使器件具有长期工作的可靠性，必须注意选好器件的规格和使用的环境条件。 ? Si-APD InGaAs-APD 波长响应 0.4～1.0 1～1．65 响应度 0.5 0.5～0.7 暗电流 0.1～1 10～20 响应时间 0.2～0.5 0.1～0.3