基于正向体效应技术的低压低功耗CMOS放大器设计研究.pdfVIP

基于正向体效应技术的低压低功耗CMOS放大器设计宰 李建峰窦建华潘敏应隽 合肥工业大学计算机与信息学院，安徽合肥230009 摘要：首先介绍了集成电路设计中实现低压低功耗的重要性，然后介绍了正向体效应技术，并采 用正向体效应拔术降低MoS管阈值电压，设计了一种二级低压低功耗放大器。最后通过电路仿真，在 0．8V低工作电压下获得直流开环增益为56．3dB，3dB带宽为20．4kHz，相位裕度为520，其功耗为 23．73∥W。 关键词：CMOs低压低功耗运算放大器正向体效应技术 1引 言 随着亚微米和系统芯片等技术的日益成熟，采用电池供电的便携式电子产品也得以迅猛的发展和普及， 但是电池技术的发展远远跟刁i上集成电路的发展速度。这就对如何降低电路的功耗提出了更高的要求。众 所周知，功耗正比于电路j二作电压的平方，所以降低电路的工作电压对降低电路功耗是十分显著的。但是， 对于CMOS上艺来说，当电路的工作电压降低到接近管予的阈值电压时，电路就无法正常工作，因此电路 工作电压的降低将受剑阂值电J玉的限制。本文采用正向体效应技术对阈值电压进行直接调制，使阈值电压 的绝对值减小，达到低电压工作的目的。另外，低电压工作是小尺寸器件可靠工作的保证，又是减小单位 面积功耗，解决散热问题的于段之一。 2正向体效应技术 源极和衬底之间的电压‰对阈值电压巧的直接调制作用，称为体效应，也称为衬偏效应‘31。在一定 的栅源电压‰下，衬底表面所感应的电荷量是一定的，感应电荷中的一部分用来形成耗尽层，另一部分 用来形成沟道。当NMOS箭的衬底电位变成正电位以后，即 衬底与各管的漏源K之间的PN结处在正偏时，沟道与衬底 之间的耗尽层变薄。也就是说，在原来的阈值电压下，由于 耗尽层消耗了更少的感应电荷，使得其余电荷只需要较低的 KN就能够形成导电沟道，所以降低了阈值电压，这一现象 便是正向体效应。图1是基于正向体效应的P沟道MOS管 的截面图，和传统的栅驱动电路相似，信号从栅极输入，只 图lPMOS横截面 是在衬底端和源端加上一个小于PN结导通电压的一个固定 ’基金资助：校大学生创新基金(No．xS080l5)． 作者简介：李建峰(1987．)，男，本科生，研究方向为通信电路与系统设计；安建华(1954．)，女，副教授，硕士生导师，研究方向 为电路理论与电子技术，集成电路设计；潘敏(1983-)，女，硕上，讲师，研究方向为电路理论与电子技术；应隽(1976．)，女， 硕士，讲师，研究方向为电路理论与电子技术． 电压％妇，用来调节Mos管的阈值电压。很明显，这种方法虽然不能完全消除信号通道上阈值电压的限 制，但却可以有效降低MOS管阈值电压，从而减小电路对电源电压的要求，降低电路功耗。因此，这种 方法非常适合低压低功耗设计要求。 3低压低功耗放大电路设计 使用正向体效应技术设计的二级CMOS放大器， 电路如图2所示。该电路的第一级为差动放大器，由 Ml、M2、M3和M4组成。输入级采用差分对输入， 电阻Rl为电路提供偏置，M5和M6构成了镜像电流 源，为差分放大级提供偏置电流。第二级由M7、M8 和M9组成，M9与M7构成共源共栅结构，共源共 栅结构可以提高输出电阻，实现高增益，同时还限制 了输入驱动晶体管上的电压，使短沟道效应最小化 【4】，它们可以看作是M8的有源负载。电阻R2和M10 构成了电阻一MOs管型分压器，电阻一MOS管型分 压器可以克服电阻型分压器占用芯片面积大的缺点， Vbi惦 它的作用是为M9提供偏置电压。C是密勒电容，对 放大器起到相位补偿作用。各管加了一个衬底电压 图2低压低功耗放大器电路设计 Vb协用来调节MOS管的阈值电压。