单片式磁敏二极管阵列的设计与应用研讨.pdfVIP

单片式磁敏二极管阵列的设计与应用研究+ 张东风孔德义 1 中国科学院合肥智能机械研究所 合肥23003 摘要：常规制作的硅磁教二极管多为分立器件，只能进行单点磁场测量且温度特性较差．针对上述 问题，设计了一种单片式磁敏二极管阵列，其中磁敏感单元为两个结构相同且位置对称的磁敏二极管组 成的差分结构，磁敏二板管仅有一个高复合表面且制作在侧面。该阵列不仅能够检测垂直于阵列表面方 向的磁场，而且具有温度自补偿、高灵敏度及高可靠性等优点，其适用于设计的新型柔性触觉传感器中。 关键词：磁敏二极管阵列温度自补偿触觉传感器 1．引言 单片式磁传感器阵列可用于检测空间磁场的精确分布，目前研究的磁传感器阵列多为MOS霍尔器件【l。21， 因其制造工艺比较复杂，很少获得实际应用。磁敏二极管作为一类重要的半导体磁传感器．具有磁灵敏度高 (比普通霍尔器件的要高2～3个数量级)、结构简单的优点，但常规方法制作的硅磁敏二极管多为分立器件， 只能进行单点磁场测量且温度特性较差pI。 本文设计了一种单片式磁敏二极管阵列，其具有温度自补偿、高灵敏度及高可靠性等优点，适用于设计 的新型柔性触觉传感器中。 2．工作原理 设计的单片式磁敏二极管阵列，将两个结构相同的磁敏二极管制作在一起，使它们具有公共的重掺杂区 和表面电极，从而构成差分结构并作为一个独立的磁敏感单元，阵列中每一个磁敏感单元与外电路相连后都 可以单独工作，因此该阵列特别适用于分布式磁场的测量，而且能够实现温漂的自补偿。在磁敏感单元中磁 敏二极管的侧表面制作出具有高深宽比的凹槽，控制工艺过程使得凹槽的侧壁相对粗糙，从而将其作为磁敏 二极管的有效高复合面，这样阵列中每个磁敏二极管都对垂直于阵列表面方向的磁场具有最高的灵敏度，因 此该阵列可用于该方向磁场的检测。 图1为一个磁敏感单元与外电路相连后的工作原理示意图， MDl与MD2为两个结构相同且对称的磁敏二极管，足为外部分 压电阻。假设‰1和尺尬2为磁敏二极管MDI与MD2的导通电 阻，则该单元的输出电压为： 矿：f．—虹一——k、．g (I) 、‰。+吃‰2+R。 一 假设R加，和R加：分别为室温条件下且无外磁场作用时MDl与 MD2的导通电阻，在待测磁场B作用下MDI与MD2的导通电 阻的变化量分别为△‰．(两和△‰：(一面，△购为由温度变化引 图I磁敏感单元的工作原理示意图 起的MDI与MD2的导通电阻的变化量。因为 —}《㈣I=R^仍l+△—f气，Dl(B)+△R(r)，尽坳2=—}iM柑2一△8泐2(一B)+△尺(r) 并且，R枷，=R加：，衄(r)+蝇∞。(否)《心肋。+恐，AR(T)～‰：(一句《民彻。+R， ·本项研究受冈家自然科学越金及安徽省自然科学基金(05042∞08)资助。 547 故得 矿。坐!塑±垃2《二竺E (2) 民坳l+R 由(2)可以看出，该磁敏感单元的输出基本不受温度漂移的影响，且其磁灵敏度为单元中两个磁敏--*a管的正 反向磁灵敏度之和。 3．结构设计与工艺实现 磁敏感单元以二维方式阵列，处于不同列的磁敏感单元，采用由SOI硅片表面刻蚀至Si．Si02界面处的 高深宽比凹槽加以隔离；处于同一列而不同行的磁敏感单元，因为它们之间隔着较大面积的高阻半导体，其 距离远大于其中的载流子扩散长度，因此在一个磁敏感单元中的载流子受到磁场作用偏转后，基本已被半导 体体内或高深宽比凹槽侧壁处的复合中心复合掉，而不会被注入到相邻的磁敏感元中，故处于同列的磁敏感 单元之间也具有较好的隔离。 阵列单元的截面结构如图2所示，图3为一个3×2单元的磁敏二极管阵列结构。 图2阵列单元的截面结构示意图